LMSD103AT1G 产品概述

LMSD103AT1G 是乐山无线电（LRC）推出的一款小型肖特基整流二极管，采用 SOD‑123 表面贴装封装，面向对低正向压降、高开关速度和小体积有要求的消费类及工业电源应用。该器件在常温及宽温范围内具有稳定的整流性能和较低的反向漏电，适合用于低压高速整流、电源保护与肖特基钳位场合。

一、主要参数与特性

• 正向压降（Vf）：典型 600 mV（在额定整流电流条件下表现出较低的压降，有利于提高效率并减少发热）
• 直流反向耐压（Vr）：40 V（适用于常见的低压电源与信号电路）
• 额定整流电流：350 mA（连续工作电流，适合微功率电源及信号整流）
• 反向电流（Ir）：典型 5 μA（在常温和额定反向电压下，漏电流较小）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：1.5 A（单次脉冲浪涌能力，用于吸收短时浪涌）
• 工作结温范围：-65 ℃ ~ +125 ℃（宽温区间适应工业级和严苛环境）
• 封装：SOD‑123（小型表面贴装，便于高密度布板与自动贴装生产）
• 品牌：LRC（乐山无线电）

二、封装与热性能

• SOD‑123 封装体积小，适合空间受限的板面设计。
• 小体积限制了器件的散热能力，长时间靠近额定电流工作时需注意热量管理与散热路径设计。
• 推荐在 PCB 设计中考虑足够的铜箔面积和热过孔以加强散热；并在实际应用中对结温进行控制与验证，避免长期在高结温下运行引起性能退化。

三、典型应用场景

• 开关电源的低压整流输出与同步整流辅助电路（用于降低总损耗）。
• USB、充电器、移动设备等微功率电源的输出整流与反接保护。
• 电源反接保护、极性保护和旁路钳位，利用肖特基低压降快速导通特性减少电压损失。
• 高频整流、快速开关信号路径以及需要低正向压降与低反向漏电的便携设备。
• 浪涌抑制场合（配合合适的电路限流），利用其短时峰值浪涌能力吸收冲击电流。

四、使用建议与注意事项

• 结温管理：在靠近额定整流电流（350 mA）下工作时，应充分考虑 PCB 散热，提高铜面积或使用散热平面，并验证器件结温不超过 +125 ℃。建议对长期可靠性进行热应力评估并适当降额使用。
• 浪涌能力：Ifsm = 1.5 A 为非重复峰值脉冲能力，适用于短时浪涌吸收，但不可作为长期过流使用，避免重复大浪涌导致热冲击或失效。
• 反向电压余量：Vr = 40 V，设计时若存在高压脉冲或变压尖峰，应留有裕量或增加抑制器件以防击穿。
• 温度对漏电的影响：在高温下反向漏电流会显著增加，敏感应用需在最坏工况下核算漏电影响。
• 焊接与可靠性：SOD‑123 为常见贴片封装，遵循厂商提供的回流焊温度曲线与焊接规范以保证焊点可靠性并避免内部损伤。存储与装配时注意防潮防静电。

五、选型与替代件建议

• 若需要更高电流能力或更低正向压降，可考虑更大封装或同类肖特基中电流等级更高的型号；反之若尺寸和成本为首要，可选同类小封装但需核对 Vr、Ifsm 等关键参数。
• 在替代选型时，优先匹配以下关键参数：正向压降、反向耐压、额定整流电流、非重复峰值浪涌电流及工作温度范围，以确保在目标应用中的可靠性与表现。

LMSD103AT1G 以其低正向压降、宽温范围与小型 SOD‑123 封装，适合便携设备与低压电源场合的整流及保护应用。实际设计中应结合散热、浪涌与温度条件进行合理降额和布局，以获得长期稳定的性能。若需器件详尽的参数曲线（正向特性、反向漏电随温度变化、典型瞬态响应等）或封装尺寸图，请参照厂商完整数据手册或联系 LRC 获取支持。