TLV70933PKR 产品概述

一、产品简介

TLV70933PKR 是德州仪器（TI）推出的一款小尺寸、低静态电流的固定输出低压差线性稳压器（LDO），输出电压为 3.3V，最大输出电流 150mA，适用于对待机功耗要求严格且空间受限的电子系统。器件支持高达 30V 的工作电压范围，集成过流保护，工作结温范围为 -40℃ 至 +125℃（Tj）。

二、主要性能指标

• 输出类型：固定（3.3V）
• 最大输出电流：150 mA
• 最大输入电压：30 V
• 压差（Dropout）：1.0 V @ 150 mA
• 静态电流（Iq）：3.2 μA（超低待机功耗，有利于电池供电）
• 电源纹波抑制比（PSRR）：90 dB @ 100 kHz（高频抑制能力优秀）
• 输出噪声：487 μVrms
• 保护功能：过流保护（OCP）
• 封装：SOT-89-3，单通道，正极输出

三、典型应用场景

TLV70933PKR 适用于各种需要低待机电流与稳定 3.3V 电源的小功率应用，例如：

• 低功耗物联网设备与传感节点
• 电池供电便携设备与可穿戴产品
• 工业与测量仪器的参考或逻辑电源
• 通信模块、射频前端的模拟/数字供电（受益于良好 PSRR）

四、热设计与电源布局建议

LDO 的耗散功率 Pd = (Vin − Vout) × Iout。举例：若 Vin = 12 V、Vout = 3.3 V、Iout = 150 mA，则 Pd ≈ 1.305 W，需重视温升与散热。建议：

• 在高 Vin 或高负载场景下进行功耗估算并留足温度余量；
• 在 PCB 设计中使用较大铜箔面积以及多层接地以改善散热；
• SOT-89-3 封装占位小，散热能力有限，必要时考虑外部散热或选用更大封装。

五、外围元件与布局要点

• 输出旁路电容：为保证稳压器稳定与低噪声，建议使用 1 μF 至 10 μF 的低 ESR 陶瓷电容，紧贴输出脚布局；输入端也应加适当的去耦电容（≥1 μF）以抑制输入瞬态和振荡。
• 布局：输入/输出电容尽量靠近器件引脚，地线短而粗；避免长电流回路和敏感模拟地交叉。
• 抗扰设计：若电源存在较大瞬态或电磁干扰，可在输入端增加串联电阻或快速瞬态抑制元件（TVS）进行保护。

六、使用注意事项

• 保证在最差工况下 Vin ≥ Vout + Dropout（示例：工作电流接近 150 mA 时需确保 Vin 至少高于 3.3V ~1.0V 以上）。
• 低静态电流有利于待机，但在频繁开关或大电流脉冲条件下需关注瞬态响应及输出电压跌落。
• 虽然器件具备过流保护，但长期在高压差、高电流下工作会产生较大热量，应评估可靠性与热循环影响。

TLV70933PKR 以其高输入电压范围、超低静态电流及良好高频抑制，适合对功耗、噪声和体积有严格要求的电源设计场合。合理的外部电容选择与良好的 PCB 散热布局，是确保其稳定可靠运行的关键。