TIL113M 产品概述

一、产品简介

TIL113M 是 ON（On Semiconductor）提供的一款单通道晶体管输出光耦，采用 DC 输入、达林顿晶体管输出结构，封装为 DIP-6。该器件以高隔离电压与大电流传输比为特点，适合微控制器与功率电路之间的电气隔离与电平转换。

二、主要参数

• 隔离电压（Vrms）：4.17 kV
• 电流传输比（CTR）最小值：300%
• 输入类型：DC（发光二极管）
• 直流反向耐压（Vr）：3 V
• 正向压降（Vf）：1.2 V（LED）
• 正向电流（If）最大：80 mA
• 输出类型：达林顿晶体管
• 集-射极饱和电压（VCE(sat)）：1.25 V（按规格 1.25V@IF=2mA, IC=8mA）
• 输出电流（IC）最大：150 mA
• 负载电压（Vce max）：30 V
• 输出通道数：1（单通道）
• 工作温度范围：-40 ℃ ～ +100 ℃
• 封装：DIP-6（直插）

三、性能特点

• 高隔离能力：4.17 kVrms 绝缘等级，适用于需要较高共模隔离的场合（仍需满足爬电距离/安规要求）。
• 高 CTR：最小 300%，在较低 LED 驱动电流下可获得较大的输出电流放大。
• 达林顿输出：提供较高电流放大倍数，便于直接驱动中小负载（高达 150 mA）。
• 耐温范围宽：适合工业级环境（-40 ℃ 到 +100 ℃）。
• 封装通用：DIP-6 方便插装与样板调试。

四、典型应用

• MCU/数字逻辑与大功率负载之间的电气隔离与驱动（继电器、直流电机、灯丝等）。
• 工业控制接口、信号隔离、传感器前端保护。
• 电源管理与开关电路中需要低成本隔离的场合。
  注意：达林顿结构开关速度相对较慢，不适合要求高频率脉冲或高速信号传输的应用。

五、参考电路与选型建议

• LED 驱动阻值计算示例（以 5 V 供电、目标 If = 2 mA 为例）：R = (5 V − Vf) / If = (5 − 1.2) / 2 mA ≈ 1.9 kΩ（常用 2 kΩ）。
• 在 CTR 标称 300% 下，If = 2 mA 时理论 IC ≈ 6 mA（实际受 VCE、温度等影响）；若需驱动更大负载（例如 60 mA），应按 If ≈ IC / CTR = 60 mA / 3 ≈ 20 mA 来设计 LED 驱动，并确认 If 不超过 80 mA 的上限。
• 考虑 VCE(sat) 较高（达林顿特性），开关时会有较大压降与功耗，必要时增加散热或选用并联/外部功率器件。

六、封装与可靠性

• 标准 DIP-6 直插封装，便于插板测试与替换。
• 推荐在实际设计中根据工作电流对 VCE 热耗进行校核，并保证 PCB 的散热与爬电距离满足系统安规要求。
• 环境与寿命要求下，应参考厂家完整 IPC/安规与寿命试验数据。

七、采购信息与注意事项

• 品牌：ON（安森美）。型号：TIL113M。
• 采购时确认版本与封装（DIP-6），并查看最新数据手册以获取完整的典型图、最大额定值、测试条件与时序信息。
• 设计时注意 LED 反向电压不要超过 3 V，避免反向击穿；同时在高噪声或高电压环境下增加输入侧限流与 EMI 抑制措施。

总结：TIL113M 以高隔离电压与高 CTR 为优势，适用于多数需要电气隔离且对驱动电流有中等要求的工业与消费类应用；但在高频或要求极低饱和压降的场合，应权衡其达林顿输出特性并考虑替代方案。