2P50G-TN3-R 产品概述

一、产品简介

2P50G-TN3-R 为 UTC（友顺）出品的一款高压 P 沟道场效应晶体管，单个器件设计，适用于高压场合的开关与保护应用。器件以 TO-252-2（DPAK）表面贴装封装提供，适配中小功率印制板安装及散热处理。

二、主要性能参数

• 类型：P 沟道 MOSFET
• 漏-源耐压 Vdss：500 V
• 连续漏极电流 Id：2 A（限于额定散热条件）
• 导通电阻 RDS(on)：8.5 Ω @ Vgs=10 V (测试电流 1 A)
• 阈值电压 Vgs(th)：约 2 V
• 总耗散功率 Pd：41 W（依散热条件而定）
• 栅极电荷 Qg：11.5 nC @ 10 V（栅驱动能量需求参考）
• 输入电容 Ciss：343 pF @ 100 V
• 输出电容 Coss：59 pF
• 反向传输电容 Crss：9 pF @ 25 V
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：TO-252-2（DPAK）

三、典型应用场景

• 高压侧开关与反向保护电路（高压断开/接通、反接保护）
• 工业与电力电子中高压控制回路、隔离开关
• 高压测量与测试设备中的开关元件
• 需要高压耐受但低到中等导通电流的场合

四、驱动与开关特性

器件在 Vgs=10 V 时给出的 RDS(on) 与 Qg 数据表明，需要相对较大的栅压幅值与瞬态驱动电流以实现快速导通/关断。作为 P 沟道器件，栅-源电压通常以负极性相对于源极来控制（具体驱动电压请参见厂方完整数据手册）。Ciss、Coss 与 Crss 值对开关损耗与响应速度有直接影响，设计时应在驱动器选型与死区时间设置上予以考虑。

五、热设计与封装注意事项

TO-252-2 为小型功率封装，器件额定耗散 41 W 需在良好散热条件下才能接近其上限。建议在 PCB 设计中提供充足的铜箔散热面积与通孔散热通道，并在实际应用中验证结温与封装温升。长时间高温工作会影响器件寿命与稳定性。

六、使用与储存建议

• 设备为静电敏感元件，生产与装配过程中需采取 ESD 防护措施。
• 避免超出数据手册指定的最大栅-源电压与漏-源电压。
• 储存与操作环境应避免潮湿与剧烈温度波动，焊接工艺参考封装厂方建议。

七、选型与工程注意事项

2P50G-TN3-R 适合高压、低至中等电流的开关与保护场合；若应用中需要较低导通损耗或较大持续电流，应考虑并联器件或选择更低 RDS(on) 的替代型号。最终应用设计请结合厂方完整规格书进行电气与热仿真验证，并在样机阶段进行可靠性测试以确认系统级表现。