SS6285M-SO-TP 产品概述

一、产品简介

SS6285M-SO-TP 是率能（LEADPOWER）推出的一款集成 FET 的单 H 桥驱动器，采用 SOP-8 封装，面向需要紧凑、高效电力开关的消费与工业应用。器件在 3V 至 33V 工作电压范围内可驱动负载，单通道最大输出能力可达 6A（实际能力受散热与工作条件影响），适合驱动小功率直流电机、执行器和感性负载。

二、主要性能参数

• 集成 FET：有
• H 桥 数量：1（单 H 桥）
• 输出电流：6A（器件极限，持续电流受散热影响）
• 工作电压：3V ~ 33V
• 导通电阻：约 80 mΩ（典型值）
• 工作温度：-25℃ ~ +85℃
• 品牌：LEADPOWER（率能）
• 封装：SOP-8

三、核心卖点

• 高集成度：内置功率 MOSFET，减少外部器件数量与 PCB 占用。
• 宽电压范围：3V 至 33V 兼容多种电池与供电方案。
• 低导通电阻：约 80 mΩ，有利于降低导通损耗并提升效率。
• 紧凑封装：SOP-8 适合空间受限的模块化设计与批量生产。

四、典型应用场景

• 小型直流电机驱动（玩具、便携机器人、风扇）
• 微型执行器、步进前级驱动与单片机控制的负载开关
• 汽车电子中的低压外设控制（需符合汽车级资格时请确认）
• 家电、安防与工控中小功率继电替代方案

五、设计与 PCB 布局建议

• 散热：尽量在器件下方或引脚附近采用铜箔散热区并结合过孔导通至底层，提升散热能力；在近额定电流工作时评估结温。
• 去耦：在供电输入近器件端放置低 ESR 陶瓷电容（例如 1 µF ～ 10 µF）与大容量电解/钽电容并联，抑制瞬态电流尖峰。
• 感性负载保护：尽管器件内部可能存在体二极管或回流通路，复杂或高能量的感性负载建议在外部加入 TVS 或缓冲电路以保护器件。
• 信号连线：控制信号线短且远离高速开关节点，必要时加阻尼或滤波以抑制振铃。

六、可靠性与注意事项

• 实际允许的持续电流受 PCB 散热、环境温度和占空比影响；设计时留有裕量。
• 在高速 PWM/制动或再生工况下，请参考完整数据手册确认器件的热关断、过流保护与逻辑阈值等参数。
• SOP-8 封装便于手工焊接与回流，但请遵循厂商焊接温度曲线以保证可靠性。

如需器件引脚定义、电气特性曲线、典型应用电路图或样片订购信息，请参考 LEADPOWER 官方数据手册或联系厂家技术支持，型号：SS6285M-SO-TP。