R5460N208AF-TR-FE 产品概述

一、产品简介

R5460N208AF-TR-FE 是 NISSHINBO 面向 2 节锂离子/聚合物电池组的电池保护芯片（2‑Cell Li‑ion Battery Protection）。该器件采用 SOT-23-6 封装，工作电压范围宽（1.5V～10V），支持 0V 电池充电，适合对体积和功耗敏感的便携式与工业应用。芯片静态电流仅 100nA，有利于长待机寿命和低漏电设计。

二、主要规格（核心参数）

• 型号：R5460N208AF-TR-FE
• 品牌：NISSHINBO
• 芯片类型：保护芯片（2 节电池）
• 工作电压：1.5V ～ 10V
• 支持电池：锂离子 / 锂聚合物
• 电池节数：2 节（串联）
• 0V 电池充电：支持（0V wake-up）
• 静态电流（Iq）：约 100 nA（超低待机电流）
• 工作温度：-40 ℃ ～ +85 ℃
• 封装：SOT-23-6

三、关键功能与优势

• 基本保护：针对 2 节锂电常见的过充、过放、过流/短路保护提供完整解决方案（典型保护逻辑需以数据手册为准）。
• 0V 充电支持：允许完全放电后通过充电器唤醒电池并恢复保护状态，有利于电池复苏与维修场景。
• 超低静态电流：100nA 级静态电流显著降低电池自放电带来的容量损耗，适合需要长时间待机的设备。
• 宽电压适应性：1.5V～10V 的输入范围覆盖 2 节锂电的全工况（包括充电峰值），同时兼容低电压唤醒场景。
• 小尺寸封装：SOT-23-6 便于在空间受限的移动设备与便携终端中布局。

四、典型应用场景

• 小型移动电源、便携充电宝（2S 配置）
• 手持设备、便携式音频与摄像设备
• 工业便携终端、无线传感器和 IoT 节点（需长待机）
• 医疗便携设备与应急电源系统

五、设计与使用建议

• 与外部 N‑MOS/P‑MOS 保护 FET 配合使用时，注意 MOSFET 的 RDS(on)、耐压与布板布局，确保电流检测与热量管理可靠。
• 在电路板布局上，将电流检测电阻和 GND 回流路径尽量靠近芯片引脚，减少寄生电阻/电感对检测精度的影响。
• 0V 充电功能在不同充电器/系统下可能表现不同，设计时务必验证充电器兼容性与恢复阈值。
• 工作温度范围为 -40 ℃ 至 +85 ℃，在极端温度条件下需考虑电池性能与保护阈值漂移。
• 详细阈值、电流限值、时序和引脚定义请以官方数据手册为准，进行可靠性与安全性验证。

六、选型提示

若方案侧重超低待机电流、支持 0V 唤醒并要求小封装与 2S 锂电保护，R5460N208AF-TR-FE 是一个高性价比的选择。最终选型前，建议获取并核对完整数据手册和典型应用电路，结合目标负载电流、开路/短路保护需求与 PCB 空间做综合评估。