LMBR1100ET1G 产品概述

一、产品简介

LMBR1100ET1G 是东沃（DOWO）推出的一款小封装整流二极管，采用 SOD-323HE 超小型封装，面向空间受限的便携式和消费类电子设备。器件适合做一般整流、反向保护及开关电源中的续流二极管，兼顾体积小、额定电流与耐压性能。

二、主要电气参数

• 正向压降 Vf：0.95V @ 1.0A（典型测试点），在大电流时产生的功耗需在热设计中考虑。
• 连续整流电流：1A（额定值），用于器件长期运行的基准设计电流。
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：25A，适用于短时浪涌/冲击电流能力评估（通常按行业浪涌测试标准进行衡量）。
• 直流反向耐压 Vr：100V，适合中等电压场合的反向阻断要求。
• 反向电流 Ir：100µA @ 100V，表明在高反向电压下存在一定的漏泄电流，需要考虑高温时漏电上升的影响。

三、封装与热/机械特性

• 封装：SOD-323HE，体积极小、低外形高度，适合高密度贴装。
• 由于封装热阻相对较大，器件的热量主要通过焊盘与 PCB 传导，建议在 PCB 设计时增大焊盘铜箔面积或布铜散热，以降低结温并提高可靠性。
• 适配自动贴装与回流焊的生产工艺，具体焊接温度曲线请参照厂商数据手册。

四、典型应用场景

• 移动电源、便携式充电器等体积受限的电源整流与反向保护。
• LED 驱动、车载电子（非关键安全电路）、工业控制中的二次侧整流或续流路径。
• 含短时浪涌的电源线路中作为保护元件使用。

五、使用与设计注意事项

• 注意正向压降在 1A 时接近 1V，长时间大电流工作会产生较大功耗（P = Vf·I），应进行热仿真与 PCB 散热设计。
• 反向漏电在高电压及高温条件下会增加，若电路对漏电敏感（例如高阻输入），应评估在工作温度范围内的 Ir 变化。
• Ifsm 指短时非重复浪涌能力，设计时应避免反复或长时浪涌以免损坏器件。
• 严格按极性焊接并遵循 ESD 防护规范，回流焊温度与时间以供应商推荐为准。

六、优势与选型建议

• 优势：在 100V 耐压等级下提供 1A 连续整流能力并兼顾小封装，适合体积受限的中低功率应用。
• 选型建议：若电路经常承受高频开关损耗或高平均电流，建议选用更大封装或具有更低 Vf（降低功耗）与更好散热能力的型号；若需更低反向漏电，可参考低漏电或高温稳定性的专用型号。

如需进一步的电气特性曲线、封装尺寸图或回流焊工艺参数，请参考东沃（DOWO）官方数据手册或联系供应商获取完整规格说明书。