SUM90N10-8M2P-E3 产品概述

一、产品简介

SUM90N10-8M2P-E3 是一款由 VISHAY（威世）提供的表面贴装功率 N 沟道 MOSFET，封装为 TO-263（D2PAK）。器件耐压 100 V，连续漏极电流 70 A，导通电阻仅 8.2 mΩ（VGS=10 V、ID=20 A），适用于要求高电流、低导通损耗的开关与功率转换场合。工作温度范围宽（-55 ℃ 至 +175 ℃），器件结构设计兼顾散热与可靠性，适合工业级应用。

二、关键电气参数

• 漏源电压 (Vdss): 100 V
• 连续漏极电流 (Id): 70 A
• 导通电阻 (RDS(on)): 8.2 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
• 阈值电压 (VGS(th)): 4.5 V（典型）
• 栅极总电荷 (Qg): 97 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss): 6.29 nF @ 50 V
• 反向传输电容 (Crss): 182 pF @ 50 V
• 工作温度: -55 ℃ ~ +175 ℃

三、性能亮点与设计要点

• 低 RDS(on) 带来较小的导通损耗，适合高电流路径，能显著降低发热与提高效率。
• Qg 值 97 nC 相对较大，说明在高频开关应用时对门极驱动能力要求高；推荐使用专用门极驱动器或能提供大峰值电流的驱动方案以缩短开关时间、降低开关损耗。
• 较高的 Ciss 表明驱动时需要更多能量，且可能影响 EMI，合理的门极阻抗、吸收电路与 PCB 布局能缓解。
• 阈值电压 4.5 V 较高，器件需要接近 10 V 的栅极驱动电压以达到标称 RDS(on)，不推荐直接用 3.3 V 逻辑电平驱动。

四、封装与热管理

TO-263（D2PAK）为表面贴装大功率封装，具备良好的散热路径。为获得最佳热性能，建议：

• 在 PCB 下方设计大面积铜箔并做过孔通到背面，形成热扩散层；
• 保证散热焊盘焊接质量，与器件引脚和散热片良好接触；
• 在高功率工作点考虑外部散热器或强制风冷以保持结温在安全范围内。

五、典型应用场景

• 48 V 至 60 V 工业 / 通信 DC-DC 转换器与同步整流；
• 开关电源半桥 / 全桥主开关或同步整流 MOSFET；
• 电机驱动、电子负载、逆变器及其他需要 100 V 耐压与高电流能力的功率模块。

六、注意事项与建议

• 选型时务必根据最大脉冲电流、开关频率与热设计评估实际结温与 SOA；
• 对高 dv/dt 场合注意 Crss 带来的米勒效应，可能出现意外触发或增加开关损耗，必要时采用米勒箝位或 RC 阻尼；
• 并联使用时注意电流均分，建议匹配 RDS(on) 与使用负反馈拓扑或小串阻抗实现均流；
• E3 后缀通常表示符合无铅/环保工艺（建议查看供应商资料以确认包装与合规性）。

若需用于某一特定电路（例如特定开关频率、工作电流与散热条件），可提供电路参数以便进一步评估并给出驱动、电流分配与 PCB 设计的详细建议。