型号:

GRM21BC81E106KE51L

品牌:muRata(村田)
封装:0805
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
GRM21BC81E106KE51L 产品实物图片
GRM21BC81E106KE51L 一小时发货
描述:Capacitor: ceramic; MLCC; 10uF; 25V; X6S; ±10%; SMD;
库存数量
库存:
2700
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.159
3000+
0.141
产品参数
属性参数值
容值10uF
精度±10%
额定电压25V
温度系数X6S

GRM21BC81E106KE51L 产品概述

一、产品概览

GRM21BC81E106KE51L 是村田(muRata)的一款多层陶瓷贴片电容(MLCC),额定电压 25V,额定电容 10µF,容差 ±10%,温度特性 X6S,封装为 0805(公制 2012),适用于表面贴装工艺。该系列以体积小、温度范围宽、适合高密度布板的去耦和旁路应用为主,常见于消费类电子、电源模块和一般电子设备的电源去耦和储能用途。

二、主要性能与参数

  • 电容值:10 µF(标称)
  • 额定电压:25 V DC
  • 容差:±10%(K)
  • 温度特性:X6S(工作温度范围通常为 −55°C 至 +125°C,温度响应在该范围内相对稳定)
  • 封装:0805(2.0 mm × 1.25 mm)
  • 类型:多层陶瓷电容(MLCC),贴片(SMD)
  • 品牌:muRata(村田)
  • 特点:高体积效率、低等效串联电阻(相对)、适合近芯片去耦

(注:使用时应参考厂方数据手册以确认具体电气和机械极限参数。)

三、设计与使用要点

  1. DC 偏压下电容变化:X6S 等高介电常数陶瓷的有效电容在施加直流偏压时会出现明显下降(直流偏压效应),设计电路时应留有裕量或通过测试确认工作状态下的有效电容值。
  2. 老化与温漂:Class II/III 型陶瓷电容存在随时间的老化(电容逐渐下降),以及在极端温度下的电容变化,关键电路应考虑使用低漂或补偿手段。
  3. 布局建议:用于芯片电源去耦时,应将该电容尽量靠近电源引脚放置,缩短焊盘到引脚的走线,减小串联电感与走线阻抗。对高频去耦可并联小容量低 ESL 的电容(例如 0.1 µF)以扩展频率响应。
  4. 回流焊可靠性:遵循无铅回流温度曲线与厂商推荐的焊接条件。避免多次高温回流超出厂方规范以保持可靠性。
  5. 机械应力敏感性:贴片陶瓷电容对焊接后或装配时的机械应力敏感,可能导致裂纹或性能退化。设计焊盘与焊膏时应考虑热循环与应力释放措施。

四、典型应用场景

  • 微控制器和数字 IC 的电源去耦与旁路
  • DC-DC 转换器的输出滤波与储能
  • 移动设备与便携终端的电源旁路
  • 一般电子产品的电源旁路、去耦与噪声抑制

(注意:由于 X6S 为介电特性较高的陶瓷,若用于对音频或模数转换等对线性与微噪声敏感的模拟前端,请先评估是否满足系统性能要求。)

五、可靠性与存储建议

  • 包装与存储:建议保持原厂防潮包装(密封干燥包装)直至使用,避免潮湿环境并遵守厂方的保质期与开盘后再流焊时间(若适用)。
  • 温度与湿度:避免长期在高温高湿环境中储存或使用,长期高温会加快老化。
  • 检验与替换:在关键或高可靠性场合,使用前进行外观与电容值抽样检测,必要时采用镜检以排查机械缺陷。

六、选型与替代建议

  • 若关心稳定性与温漂,考虑使用陶瓷 C0G/NP0 类型或薄膜电容,但体积通常较大且单位电容低。
  • 若需要更高电压或更小偏压衰减,可选择额定电压更高或不同介质特性的 MLCC。
  • 对于更高的电容值或更低失效敏感的场合,可考虑电解或钽电容,但要权衡 ESR、尺寸及可靠性差异。

七、采购与资料

购买与设计时建议参考村田官方数据手册与规格书,以获得完整的电气特性曲线(温度特性、频率响应、偏压特性)、焊接条件和可靠性测试结果。若有批量应用或对可靠性有严格要求,可直接联系村田或代理获取样片、放大试验数据与长期可靠性验证信息。

总结:GRM21BC81E106KE51L 在 0805 尺寸中提供了较大的电容量,适合于空间受限但需要中等储能与去耦的电源应用。设计时应重点考虑偏压下的电容降额、温漂与老化特性,并按厂方推荐工艺与布局方式确保性能与可靠性。