型号:

2SC2412

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:未知
重量:-
其他:
-
2SC2412 产品实物图片
2SC2412 一小时发货
描述:三极管(BJT) 225mW 50V 150mA NPN
库存数量
库存:
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0525
3000+
0.0417
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE)120@1mA,6V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)7V

2SC2412 产品概述

一、概述

2SC2412 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款小信号 NPN 晶体管,采用 SOT-23 小型封装,针对低功耗、高增益与中等电压应用优化。器件支持集电极电流最大 150mA,集射极击穿电压 Vceo 为 50V,适合便携与空间受限电路中的开关与放大场景。

二、主要参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 Ic:150mA
  • 集射极击穿电压 Vceo:50V
  • 最大耗散功率 Pd:225mW(常温条件)
  • 直流电流增益 hFE:约 120(测试条件 1mA、VCE=6V)
  • 特征频率 fT:300MHz,适合高频小信号处理
  • 集电极截止电流 Icbo:100nA(典型,室温)
  • 集电极饱和电压 VCE(sat):约 400mV(视偏置条件而定)
  • 射基极击穿电压 Vebo:7V
  • 工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  • 封装:SOT-23

三、性能与特性

2SC2412 在小电流区具有较高的直流增益,hFE≈120(1mA)便于低电流放大;fT 达 300MHz,确保在 VHF/高频前级和射频耦合电路中保持良好响应。低 Icbo(100nA)带来较小的漏电流,有利于高阻输入或休眠电路的低漏流表现。SOT-23 封装体积小、布局灵活,但热阻较大,需注意功耗与散热。

四、典型应用

  • 小信号放大器、前置放大和电压跟随器
  • 通用开关与驱动(驱动小继电器、LED、光电器件)
  • 高频放大、振荡与混频电路的增益级
  • 便携设备与电池供电系统中的信号处理模块

五、使用建议与封装注意

  • 耗散功率 225mW 为常温额定值,实际使用中应根据环境温度线性降额,避免在高温下持续接近最大耗散。
  • SOT-23 封装热阻较大,建议在 PCB 布局时增加散热铜箔面积或热铜垫,减少结温上升。
  • VCE(sat) 与 hFE 随工作点变化明显,设计饱和开关或线性放大电路时应按目标工作电流和偏置重新计算。
  • 引脚定义与封装脚位请参照厂方完整数据手册,器件引脚排列厂商可能有所差异。
  • 存储与装配过程中注意静电防护(ESD),并遵循湿敏等级与回流焊工艺规范。

六、选型参考

如果需要更高电流或更低饱和压,建议选用更大封装或低 VCE(sat) 的功率型晶体管;若目标为极低噪声或专用射频性能,可比较低噪声放大器或专用 RF 三极管。2SC2412 在中等电压、高频与低电流场合表现均衡,是通用小信号放大与开关的可靠选择。