型号:

KBP410

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:KBP
批次:26+
包装:盒装
重量:-
其他:
-
KBP410 产品实物图片
KBP410 一小时发货
描述:整流桥 1V@4A 1kV 5uA@1000V 4A
库存数量
库存:
2301
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.316
500+
0.285
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1.1V@4A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流4A
反向电流(Ir)5uA@1000V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)120A
工作结温范围-55℃~+150℃
类型单相整流

KBP410 产品概述

一、产品简介

KBP410 是 BORN(伯恩半导体)出品的一款单相整流桥,封装为 KBP 型式,面向高压直流整流场合。主要电气参数包括:正向压降 Vf = 1.1V(在 4A 时),直流反向耐压 Vr = 1000V,整流电流 Io = 4A,反向电流 Ir = 5μA(@1000V),非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 120A,工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。该器件适用于需要高耐压和中等整流电流的电源与工业电路。

二、主要特点

  • 高耐压:1kV 的直流反向耐压,适合高压整流和高电压电源。
  • 低漏电:在 1000V 时反向漏电仅约 5μA(典型),有利于高压微小电流应用。
  • 中等电流能力:连续整流电流 4A,满足常见开关电源、整流模块需求。
  • 良好浪涌承受能力:Ifsm 120A 能承受短时充电或磁化浪涌(具体浪涌波形请参考器件数据表)。
  • 宽工作温度:-55℃~+150℃,适应工业级环境。

三、典型电气与热设计要点

  • 功率耗散:在全波桥整流工作时,通常有两只二极管同时导通。近似导通损耗 P ≈ 2 × Vf × I。在 4A 恒流条件下 P ≈ 2 × 1.1V × 4A ≈ 8.8W,需采用适当散热措施(散热片、机箱散热或热垫)。
  • 漏电随温度升高明显增加,长期在高温高压条件下应留有余量。
  • Vr(1kV)为器件极限电压,设计时建议保留安全裕度并避免瞬时过压。
  • 浪涌 Ifsm(120A)适用于短时浪涌,但电容充电或大电感冲击时的峰值可能远超平均值,应结合实际波形和次数评估。

四、封装与安装建议

KBP 封装为标准桥式整流封装,便于手工或波峰/回流焊装配。建议:

  • 在额定电流附近工作时,使用外部散热片并保证良好热接触;必要时采用隔热垫或绝缘垫片安装。
  • 遵循制造商的安装/扭矩建议,避免应力导致焊点裂纹或引脚弯曲。
  • 波峰或回流焊时参照推荐温度曲线,防止过热损伤。

五、典型应用场景

  • 开关电源整流桥、线性电源、工业电源模块
  • 高压直流电源、偏置电源、静电设备电源
  • 充电整流、高压测量仪器、逆变器输入整流

六、使用注意事项与可靠性提示

  • 电容充电时的峰值充电电流可能会大幅超过平均整流电流,建议在输入端增加 NTC、限流电阻或软启动电路以降低应力。
  • 对于连续高温或靠近 Vr 上限的工作,建议降额使用并加强散热设计以延长寿命。
  • 若电路中存在高 dv/dt 或反向恢复问题,应在二极管两端考虑 RC 吸收或抑制措施以降低过电压和干扰。

七、结论

KBP410 为一款耐压高、漏电低、浪涌能力良好的单相整流桥,适合多种高压整流与工业电源场合。设计时重点关注散热、浪涌与电容充电峰值,并结合具体应用对器件进行合理降额与保护,可以获得稳定可靠的工作表现。若需更详细的浪涌波形、热阻和机械尺寸,请参考 BORN 官方数据手册或联系供应商获取完整资料。