型号:

BSD5A241V35

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
BSD5A241V35 产品实物图片
BSD5A241V35 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 BSD5A241V35
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.132
5000+
0.12
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压45V
峰值脉冲电流(Ipp)5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)280W@8/20us
击穿电压26.7V
反向电流(Ir)500nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容30pF

BSD5A241V35 产品概述

一、概述

BSD5A241V35 是伯恩半导体(BORN)推出的一款单向瞬态抑制二极管(TVS),封装为超小型 SOD-523。该器件专为保护电子系统免受瞬态过压、雷击和静电放电等冲击而设计,符合 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和 IEC 61000-4-5(Surge)等电磁兼容防护标准,适合空间受限的便携设备与工业接口保护应用。

二、主要电气参数(典型值)

  • 极性:单向
  • 反向截止电压(Vrwm):24 V
  • 击穿电压(Vbr):26.7 V
  • 钳位电压(Vclamp):45 V(在指定脉冲条件下)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):5 A @ 8/20 µs
  • 峰值脉冲功率(Ppp):280 W @ 8/20 µs
  • 反向电流(Ir):500 nA(在 Vrwm 条件下,常温)
  • 结电容(Cj):30 pF
  • 封装:SOD-523
  • 型号:BSD5A241V35,品牌:BORN(伯恩半导体)

三、产品特点与优势

  • 抑制能力强:在 8/20 µs 测试条件下,单次脉冲电流可达 5A,能承受 280W 峰值脉冲功率,适合常见浪涌与雷击能量吸收。
  • 低漏电:反向漏电仅 500 nA(典型),对供电稳定性影响小,适合电源敏感电路。
  • 适配 24V 线路:24V Vrwm 使其可直接用于 24V 工业总线或汽车 24V 旁路保护(请确认器件是否满足车辆级认证要求)。
  • 小尺寸封装:SOD-523 适合高密度 PCB 布局与表面贴装自动化生产,节省空间。
  • 中等结电容(30 pF):在多数低速或中速信号应用中影响有限,但在极高速数据链路上需评估其对信号完整性的影响。

四、典型应用场景

  • 24V 工业控制总线、继电器驱动与传感器接口保护
  • 通信设备的接口与电源浪涌防护
  • 便携与消费类电子的外部连接器、充电口保护(空间受限场景)
  • 工业以太网、RS-485、CAN 等差分通信总线前端保护(注意评估结电容对信号带宽的影响)

五、使用建议与布局要点

  • 典型接法(单向):阴极接电源正(或信号线),阳极接地,待机电压不超过 Vrwm(24V)。
  • 布局:将 TVS 尽可能靠近受保护的外部接口或连接器放置,走线最短并尽量直接接入地平面,以减少感性阻抗和环路面积。
  • 热与可靠性:SOD-523 封装尺寸小,散热能力有限,长时间多次承受高能脉冲会产生热累积,应确保设计满足最大脉冲能量要求并考虑适当的冗余。
  • 信号完整性:30 pF 结电容对高速信号有一定影响,若用于高速接口(例如 >1 Gbit/s),建议进行时域仿真或选择低容型 TVS。

六、合规与选型提示

  • 本器件符合 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 防护标准,适合常见的 ESD、EFT 与浪涌防护需求。
  • 选型时请注意系统的最大工作电压应 ≤ Vrwm(24V),且钳位电压(45V)需确保下游器件能承受该峰值电压。
  • 若用于汽车或更苛刻的工业环境,请在最终选型中确认是否需要额外的 AEC 或车规级认证件。

七、结语

BSD5A241V35 以小体积、较高的浪涌吸收能力和低漏电特性,为 24V 级别及类似应用场景提供了经济且有效的瞬态保护方案。设计时结合 PCB 布局、热管理和信号完整性评估,可在保证保护性能的同时最小化对系统的影响。若需器件封装尺寸图、最大额定值或焊接工艺建议,请参考厂方数据手册或联系供应商获取详细资料。