PTVS3V3D1BALYL-N 产品概述

PTVS3V3D1BALYL-N 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款双向瞬态电压抑制二极管（TVS），封装为 DFN1006-2，针对静电放电（ESD）与浪涌保护设计。器件在 8/20μs 波形下可承受 500W 峰值脉冲功率，具有低电容、小封装、快速响应等特点，适用于高速数据线与接口保护以及对空间要求严格的便携设备与工业应用。

一、主要参数

• 钳位电压（Vc）：11 V
• 击穿电压（Vbr）：4.7 V
• 反向工作电压（Vrwm）：4.5 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：500 W @ 8/20 μs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：45 A
• 反向电流（Ir）：100 nA
• 结电容（Cj）：70 pF
• 极性：双向（Bidirectional）
• 类型：ESD TVS
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 / IEC 61000-4-4 / IEC 61000-4-5 标准
• 封装：DFN1006-2（小型表贴）

二、核心特性

• 高能量吸收：500W/8/20μs 的能量容量，可有效吸收短时浪涌与静电冲击。
• 低钳位：11V 的钳位电压在保护下能维持较低电压，减少被保护器件应力。
• 低漏电流：反向电流仅 100 nA，适合低功耗系统。
• 适配高速信号：70 pF 的结电容在可接受范围内，适合 USB、UART、串行接口等高速信号线保护（需根据速率评估）。
• 双向保护：无需方向区分，适用于交流/双向数据线及差分信号保护。

三、典型应用场景

• 手机、平板等便携终端的 I/O 接口与充电口保护。
• USB、HDMI、Ethernet 等高速接口的线路保护（注意对电容敏感的高速接口需评估信号完整性）。
• 工业控制设备、仪器仪表的通信线和信号线防护。
• 汽车车载电子弱信号线的静电/浪涌防护（需结合汽车级可靠性验证）。

四、电气性能说明

• Vrwm（4.5V）为常态工作电压上限，器件在该电压下不导通；当电压上升至 Vbr（4.7V）附近时进入击穿并开始导通以限制过压。
• 钳位电压 11V 表示在指定脉冲条件下保护设备两端最大被钳制电压。
• 峰值脉冲电流 45A 与 Ppp 500W 指器件在短脉冲下的承受能力，应避免重复在极限条件下长时间工作以免热损伤。

五、PCB 布局与安装建议

• 尽量将 TVS 放置在信号入口或连接器附近，靠近受保护器件的外侧。
• 引线最短、过孔数量最少以减小串联感抗，提高保护响应速度。
• DFN1006-2 小型封装注意热沉面积与焊盘设计，推荐在封装下方或附近留出足够的焊盘和接地过孔，以利热量扩散与可靠接地。
• 双向器件对称放置，避免与敏感模拟地或参考地共面布线。

六、选型要点与注意事项

• 若系统工作电压接近 Vrwm（4.5V），需确认正常工作余量，避免误触发。
• 对于高速差分信号，70 pF 电容可能影响带宽，须在原理样机上验证信号完整性。
• 若需更高的重复浪涌能力或更低钳位，可考虑更大功率或低钳型号。
• 关注封装的焊接工艺窗口与焊盘匹配，避免装配应力导致焊接缺陷。

七、包装与物料信息

• 器件型号：PTVS3V3D1BALYL-N
• 品牌：BORN（伯恩半导体）
• 封装：DFN1006-2，适合自动贴片生产与小尺寸设计。

总结：PTVS3V3D1BALYL-N 以其 500W 的瞬态抑制能力、低漏电与双向特性，适合对空间敏感且需要可靠 ESD/浪涌防护的应用。实际设计中建议配合 PCB 布局规范与信号完整性验证，确保在目标应用中达到理想的保护效果。若需针对特定接口的更多电气曲线或封装尺寸图，可进一步提供详细数据表以便深入评估。