ESD150-B1-W0201-N 产品概述

一、产品简介

ESD150-B1-W0201-N 是 BORN（伯恩半导体）出品的一款单路双向低容抗静电保护二极管，封装为 DFN0603。器件针对 3.3V 工作电压的信号线提供快速钳位和脉冲能量吸收能力，适用于现代移动、通信和工业接口的静电与脉冲干扰防护。

二、主要特点

• 极性：双向（正负脉冲均可钳位）；
• 反向截止电压 VRWM：3.3V，适合 3.3V 信号域；
• 钳位电压：典型 20V（在指定脉冲条件下）；
• 峰值脉冲电流 Ipp：3.5A @ 8/20µs；峰值脉冲功率 Ppp：60W @ 8/20µs；
• 击穿电压：7.8V；反向漏电流 Ir：100nA（低泄漏适合低功耗应用）；
• 结电容 Cj：0.35pF，极低的输入电容利于高速信号完整性；
• 单路封装，防护等级符合 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 标准要求。

三、应用场景

• 3.3V 数字接口保护（GPIO、I2C、SPI、UART）；
• 移动设备与可穿戴终端的外部连接口；
• 无线模块与射频前端的控制线保护；
• 工业控制、物联网节点、传感器接口等要求低容抗干扰场合。

四、封装与布局建议

DFN0603 超小封装便于高密度 PCB 布局。建议将器件尽可能靠近受保护的连接器或器件引脚放置，保持走线最短并直接返回接地平面；若为双向保护，器件两端分别连接信号线与地（或两信号线间，视系统接地结构而定）。为获得最佳热耗散与浪涌能力，底层接地铜皮需足够面积并通过过孔过渡至内层或底层地。

五、选型与限制注意事项

• 确认 VRWM（3.3V）大于等于系统正常工作电压；若系统存在较大工作电压或耦合尖峰需选更高 Vrwm 的型号；
• Ipp 3.5A（8/20µs）适中，能应对常见 ESD 与短时浪涌；对更大能量的冲击应配合串联保护元件（如熔断器、限流电阻或大功率 TVS）；
• 极低结电容适合高速数据线，但仍需评估对信号眼图和上升沿的影响。

六、可靠性与合规

器件通过 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）与 IEC 61000-4-5（浪涌）等级测试，符合工业级信号保护要求。低漏电和小体积特性使其在功耗敏感与空间受限的设计中表现优异。

七、典型应用连接示意

将 ESD150-B1-W0201-N 放置于信号线与地之间（或两信号线之间），靠近外部引入点（如插座、天线、连接器），在 PCB 上保证最短走线和良好接地回路，可显著降低静电和脉冲干扰对后端电路的影响。

总结：ESD150-B1-W0201-N 以其 3.3V 工作点、低结电容与合理的脉冲承载能力，适合对高速、低功耗 3.3V 信号线进行经济、高效的静电防护。若需更高浪涌能力或更大型接口保护，请根据系统能量预算选择更高规格的器件或并联保护方案。