型号：
IPD042P03L3GATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：25+
包装：编带
重量：0.37g
其他：
-
描述：Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit
库存数量
库存：
1770
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.91
2500+
3.75
产品参数
属性参数值
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.2 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）175nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）12400pF @ 15V
功率耗散（最大值）150W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
IPD042P03L3GATMA1 产品概述
一、器件简介
IPD042P03L3GATMA1 是英飞凌（Infineon）OptiMOS™ 系列的 P 通道功率 MOSFET，采用金属氧化物技术并以表面贴装 TO-252-3（DPAK）封装提供。该器件面向需要低导通损耗与高开关性能的高侧开关与电源管理应用。
二、主要电气参数
- 漏源电压 Vdss：30 V
- 连续漏极电流 Id：70 A（以外壳温度 Tc 计）
- 导通电阻 Rds(on)：最大 4.2 mΩ @ Id=70 A, Vgs=10 V（同时支持在 Vgs=4.5 V 下的 Rds(on) 规格）
- 栅阈电压 Vgs(th)：最大 2 V @ Ig=270 µA
- 总栅极电荷 Qg：最大 175 nC @ Vgs=10 V
- 输入电容 Ciss：最大 12,400 pF @ Vds=15 V
- 最大栅极电压 Vgs：±20 V
- 功率耗散 Pd：150 W（以 Tc 计）
- 工作结温范围 TJ：-55 °C 至 175 °C
三、主要优势
- 低 Rds(on) 带来显著的导通损耗降低，适合高电流场合。
- OptiMOS 制程在导电与开关性能之间有良好折中，适用于高效率转换与高侧开关。
- DPAK 表面贴装，利于自动化贴片与散热处理。
四、典型应用
- 电池供电系统与便携设备的高侧开关与负载隔离
- 同步整流与降压转换器的功率开关元件
- 逆向保护、负载开关和电源管理模块
- 电机驱动与功率分配开关
五、设计与使用建议
- 栅极驱动：Qg 较大，需选用能提供足够峰值电流的驱动器以保证快速开关；为控制振铃与应力，可在栅极串联合适阻值。
- 热管理：Pd 以 Tc 计为 150 W，实际电路中需采用大铜箔、热过孔或散热片以降低结温；器件大接片通常与漏极相连（具体请参阅数据手册）。
- 布局：短且粗的导流与栅极走线，最小化回路电感；在开关边沿处考虑 RC 或 RCD 吸收网络以限制 dV/dt 和尖峰。
- 可靠性：注意 Vgs 的 ±20 V 限制，避免过压；在高温下评估 Rds(on) 的上升对损耗的影响。
六、封装与安装
器件为表面贴装 TO-252-3（DPAK），适合自动贴装生产。为获得最佳散热性能，建议遵循厂商推荐的 PCB 焊盘与过孔设计，并将散热铜面积最大化。
总结：IPD042P03L3GATMA1 以其低导通阻抗、高电流能力和 OptiMOS 技术特性，适合要求高效率与可靠性的高侧开关与电源管理场景。选型与布局时应重点考虑栅极驱动能力与热释放路径。