DTC114EKAFRAT146 产品概述
一、产品简介
DTC114EKAFRAT146 是 ROHM(罗姆)推出的一款数字晶体管(Digital Transistor),封装为 SC-59(小型SOT-23类尺寸)。器件在内部集成了基极限流电阻与保护元件,便于直接与逻辑电平接口驱动小负载,适合用于电平转换、指示灯驱动与开关控制等场合。
二、主要参数与特性
- 集-射击穿电压 Vceo:50 V(器件最大耐压能力,适合中低压应用)
- 集电极电流 Ic:100 mA(最大连续集电极电流)
- 功耗 Pd:200 mW(最大耗散功率,注意封装散热限制)
- 直流电流增益 hFE:典型 30(在 Ic = 5 mA、VCE = 5 V 条件下)
- 输入电压门槛:
- VI(on) 最小值:3 V(在输入可驱动约 10 mA 输出时)
- VI(off) 最大值:500 mV(典型在输入电流 100 μA 条件下判定为“低”)
- 输出导通电压 VO(on):约 300 mV(在输出电流 10 mA 条件下)
- 输入电阻:13 kΩ(内部基极限流电阻等效值)
- 电阻比率:1(器件内部阻值分配特性)
- 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃(宽温稳定性,适合工业级应用)
- 封装:SC-59(体积小,适合高密度PCB布置)
注:以上阈值和典型值基于制造商给定的测试条件,实际电路中应参考完整数据手册并按实际工作点进行验证。
三、典型应用场景
- MCU/逻辑门到小型继电器、LED 或小型负载的直接驱动
- 输入端电平拉入与保护,替代分立电阻+晶体管,提高设计简洁性
- 开关信号整形与电平转换(例如 3.3 V 逻辑驱动 5 V 侧小电流负载)
- 工业与消费类电子中对体积、成本有要求的驱动场合
四、封装与布局注意
- SC-59 封装体积小,散热能力有限:当输出电流接近 Ic 极限或在高温环境下,须注意功耗 Pd(200 mW)及PCB散热设计。
- 推荐在 PCB 布局时保证附近有充足铜箔面积以帮助散热,并避免将热敏元件紧密集成在一起。
五、使用建议与注意事项
- 驱动能力受 hFE 与 VCE(on) 限制:若需稳定输出 10 mA 以上电流,应在实际应用中验证电压降与器件发热情况。
- 输入门槛需与上游逻辑匹配:保证高电平 ≥ ~3 V(在要求输出 10 mA 时)以确保可靠导通;低电平应低于 ~500 mV 以保证关闭。
- 若需长期在高温或高功耗工况下工作,应考虑增加散热或选择更高功率等级器件。
- 推荐参考 ROHM 完整数据手册以获取典型特性曲线、绝对最大额定值和开机关断时序等详细信息。
六、总结
DTC114EKAFRAT146 为一款集成基极限流电阻的数字晶体管,适合在追求电路简化与体积最小化的场合替代传统的分立元件设计。凭借 50 V 的耐压、100 mA 的驱动能力以及宽温度范围,本器件在低至中等负载驱动、逻辑接口保护与电平转换等应用中具有良好性价比。设计时应关注功耗与散热限制,并按数据手册条件验证门槛与导通特性。