型号:

PESD5V0V1BA

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOD-323
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESD5V0V1BA 产品实物图片
PESD5V0V1BA 一小时发货
描述:未分类
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.097818
3000+
0.077724
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压21V
峰值脉冲电流(Ipp)17A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容60pF

PESD5V0V1BA 产品概述

一、产品简介

PESD5V0V1BA 是友台半导体(UMW)推出的一款双向瞬态电压抑制器(ESD 二极管),封装为 SOD-323,专为 5V 等电压等级的接口保护设计。器件在小体积下提供快速响应的浪涌和静电放电保护,适用于消费类、通信及工业控制端口。

二、主要电气参数

  • 反向截止电压 Vrwm:5V(适合 5V 系统持续工作);
  • 击穿电压 Vbr:6V(典型);
  • 钳位电压 Vc:21V(在 8/20μs 测试条件下);
  • 峰值脉冲功率 Ppp:350W@8/20μs;
  • 峰值脉冲电流 Ipp:17A@8/20μs;
  • 结电容 Cj:60pF(对高速信号有一定影响,应评估);
  • 反向电流 Ir:1μA(在 Vrwm 下);
  • 极性:双向。

三、防护能力与标准

器件通过 IEC 61000-4-2(静电放电)、IEC 61000-4-4(脉冲群/快速瞬变)与 IEC 61000-4-5(雷击浪涌)相关测试,能承受典型的 ESD、EFT 及浪涌冲击,适合要求产品级别抗干扰的系统设计。

四、应用场景

适用于 USB、串口、TTL/CMOS 5V 数据线、GPIO、键盘/鼠标接口、机顶盒、路由器及其他需要 5V 侧瞬态保护的信号或电源线路。双向特性也适合双向数据线或可能出现正负极性脉冲的线路保护。

五、布局与使用建议

  • 器件应尽量靠近被保护端口放置,缩短走线以降低寄生电感;
  • 对高速差分信号,请评估 60pF 电容对信号完整性的影响,必要时选择低容型保护器件;
  • SOD-323 小封装便于自动贴装,推荐在焊盘周围留足散热与回流空间;
  • 若保护多个线,对地回路要低阻且短路径,以保证钳位电压效果。

六、优势与注意事项

优势在于体积小、响应快、符合多项工业级抗扰标准且适配 5V 系统。注意钳位电压 21V 在高能脉冲下仍会将保护电压提升至该值,设计时需确认被保护器件能耐受此短时电压;若系统对信号带宽或电容极其敏感,应权衡使用。

厂商信息:UMW(友台半导体),封装:SOD-323,型号:PESD5V0V1BA。如需样片或更多应用电路图,请联系供应商获取评估资料与原理图示例。