型号:

ESD5Z5.0T1G

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOD-523
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
ESD5Z5.0T1G 产品实物图片
ESD5Z5.0T1G 一小时发货
描述:未分类
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0.0403
3000+
0.032
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压18.6V
峰值脉冲电流(Ipp)9.4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)174W@8/20us
击穿电压6.2V
反向电流(Ir)50nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容80pF

ESD5Z5.0T1G 产品概述

一、产品简介

ESD5Z5.0T1G 是友台半导体(UMW)推出的一款单向瞬态电压抑制器(TVS),采用超小型 SOD-523 封装,专为 5V 类电源与 I/O 接口的静电与浪涌保护设计。器件对静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)具有良好抑制能力,适用于消费电子、通信和工业控制等需可靠防护的小型终端设备。

二、主要参数

  • 极性:单向
  • 反向静态耐压 Vrwm:5.0 V(典型,适配 5V 系统)
  • 击穿电压 Vbr:6.2 V(在指定电流条件下)
  • 钳位电压 Vc:18.6 V(对应峰值脉冲)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:9.4 A @ 8/20 µs 波形
  • 峰值脉冲功率 Ppp:174 W @ 8/20 µs 波形
  • 反向电流 Ir:50 nA(静态低漏)
  • 结电容 Cj:约 80 pF(典型值)
  • 防护标准:符合 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-4(EFT)
  • 封装:SOD-523(超小贴片)

三、功能与优势

  • 高效能防护:支持 8/20 µs 标准脉冲测试下 9.4 A 的电流冲击与 174 W 的瞬时功率吸收,能在瞬态事件中快速钳位,保护下游电路。
  • 低泄漏电流:反向电流仅约 50 nA,有利于电池供电与低功耗系统的静态性能。
  • 小封装:SOD-523 极小占板面积,适合空间受限的便携设备与高密度 PCB。
  • 中等结电容(80 pF):对多数控制信号与 USB2.0 类接口友好,但在超高速差分信号链路需评估其影响。
  • 标准合规:通过 IEC 61000 系列抗扰度测试,方便系统设计满足 EMC 要求。

四、典型应用场景

  • USB2.0、UART、I2C、SPI 等 5V 或兼容 5V 的接口保护(需评估电容对信号完整性的影响)。
  • 手机充电口、移动电源、便携式设备的输入端防护。
  • 工业控制模块、传感器接口、消费电子外设的静电浪涌防护。
  • 一般 PCB 上的电源轨与单端信号线的浪涌抑制。

五、设计与布局建议

  • 器件应尽量靠近受保护的连接器或接口放置,缩短引线与走线长度以降低感性耦合与环路面积。
  • 将 TVS 的地端短直接回到系统地(或接地平面),必要时增设多点接地或旁路电容以改善高频路径。
  • 对高频差分信号(如 USB3.0、HDMI 等),请先评估 80 pF 结电容对信号完整性的影响,必要时选用更低电容型号。
  • 遵循制造商推荐的回流焊工艺与热循环规范,避免超出封装耐热限制,确保良好焊接强度与可靠性。

六、选型与注意事项

  • 确认系统工作电压与 Vrwm 匹配:本型号 Vrwm=5V,适用于 5V 及以下的单端线路。
  • 核实钳位电压与保护等级:钳位 18.6V 在部分敏感器件可能仍需额外串联限流或保护级联。
  • 若应用在极端环境或需更高的脉冲能量吸收能力,请参考完整数据手册并考虑并联或使用更大功率的 TVS 器件。
  • 在批量导入设计前,建议按实际应用条件做 PCB 实测(带连线、电感、ESD 源位置)以验证防护效果与信号影响。

总结:ESD5Z5.0T1G 在体积与防护性能之间取得平衡,是保护 5V 类接口与电源轨的经济型选择。针对高频差分链路或超高能量冲击场合,请根据最终数据手册与系统要求谨慎评估。若需完整电气特性曲线、封装尺寸与回流焊建议,请参考 UMW 正式资料或联系供应商获取详细数据手册。