CESD3V3D3 产品概述

一、产品简介

CESD3V3D3（UMW / 友台半导体）为单路双向瞬态抑制二极管（ESD/浪涌保护），封装为 SOD-323，专为 3.3V 工作环境下的输入/输出、数据线及小功率电源防护设计。器件遵循 IEC 61000-4-2（静电放电）与 IEC 61000-4-5（浪涌）等级要求，具备快速钳位与高脉冲吸收能力，可有效保护下游敏感元件免受瞬态过压损坏。

二、主要电气参数

• 极性：双向（Bidirectional）
• 反向截止电压 Vrwm：3.3 V
• 击穿/雪崩电压（Vbr）：约 5.9 V
• 钳位电压（Vc）：13 V（在 8/20 μs 波形下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：16 A（8/20 μs）
• 峰值脉冲功率 Ppp：210 W（8/20 μs）
• 反向漏电流 Ir：≤ 10 μA
• 结电容 Cj：约 120 pF
• 通道数：单路

三、特性与优势

• 双向结构适合差分信号或无固定极性的接口防护；
• 低漏电流保证在常态下不影响器件功耗与电平；
• 高能量吸收（210 W, 8/20 μs）与 16 A 峰值脉冲电流，能应对常见的浪涌与故障脉冲；
• 快速钳位响应，最大钳位电压约 13 V，有效限制瞬态电压峰值；
• 小型 SOD-323 封装，便于空间受限的移动设备与外设接口布局。

四、应用场景

• 3.3 V 系统的 I/O 保护：UART、GPIO、控制信号线；
• 接口和通信端口保护：USB（低速/全速需评估电容影响）、RS-232/RS-485、CAN 总线的辅助防护；
• 电源输入与外围接口的浪涌与静电防护；
• 工业控制、消费电子、物联网终端等空间受限设备。

五、布局与使用建议

• 器件应尽量靠近外部连接器或易受干扰的接口放置，尽量缩短引线长度以降低感性环路；
• 对地回流路径应低阻抗、短且直接，若有 PCB 地平面，务必使用多孔过孔连接；
• 结电容 120 pF 较大，高速差分信号（高速 USB/USB3.0、千兆以太网等）应评估对信号完整性的影响；如影响明显，考虑使用低电容专用 TVS 或针对差分高速的保护器件；
• 若需更低钳位或更高能量吸收，可并联或与串联阻抗配合使用，但需验证功率分配与热稳定性。

六、注意事项与选型建议

• Vrwm 3.3 V，推荐用于 3.3 V 及以下系统；在 5 V 系统中使用会导致频繁进入导通或增加泄漏，应慎重；
• 钳位电压 13 V 在脉冲条件下能保护大多数外围器件，但对极低耐压元件仍需配合限流措施；
• 结电容较高，适用于低速或中速通信线、供电线和通用 I/O；对高频、高速差分链路，选型时优先考虑低电容方案。

CESD3V3D3 以其紧凑封装、合规的抗静电与浪涌能力、以及在 3.3 V 领域的良好适配性，适合用于需要可靠瞬态防护且 PCB 空间受限的多种电子产品。