MMBZ6V8ALT1G 产品概述

一、产品简介

MMBZ6V8ALT1G 是友台半导体（UMW）推出的一款双路单向瞬态抑制二极管（TVS），采用 SOT-23 封装，专为 5V 及以下电源和信号线的过压、浪涌和静电放电保护设计。器件体积小、响应快，适合对板级空间和成本敏感的消费电子、通信及工业应用。

二、核心参数

• 极性：单向
• 反向截止电压（Vrwm）：4.5 V（适配典型 5V 工作点）
• 击穿电压（Vbr）：约 7.14 V
• 钳位电压（Vclamp）：9.6 V（在规定脉冲条件下测得）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：24 W @ 1.0 ms
• 反向漏电流（Ir）：500 nA（典型/最大）
• 通道数：双路（两个独立保护单元）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（静电放电 ESD）标准
• 封装：SOT-23，利于表面贴装与自动化生产

三、保护特性与工作机理

该器件为单向 TVS，在正常工作时呈高阻状态，当瞬态电压超过击穿阈值（约 7.14 V）时迅速导通，将能量钳位在约 9.6 V，从而保护后端电路免受过压损害。双路设计允许在同一封装内对两条独立信号线或电源/地线组合进行保护，节省 PCB 面积。

四、典型应用

• USB、串口及数据通信接口的浪涌/ESD 保护
• 5V 电源总线保护（嵌入式系统、单板机）
• 移动设备、便携式电子产品的接口保护
• 工业控制与楼宇自控中对抗静电与瞬态过压的板级保护

五、封装与布局建议

SOT-23 小型封装便于贴片组装。建议将器件尽量靠近被保护的输入/接口引脚布置，缩短信号回路和地回路的寄生电感；为提升抗冲击能力，必要时可在信号线上配合串联电阻或共模电感使用；保证地平面完整并使用合适的焊盘/过孔散热设计，以利于脉冲能量的快速导散。

六、选型与注意事项

• 若系统工作电压高于 5V，应选择相应 Vrwm 更高的型号；
• 钳位电压 9.6 V 为脉冲条件下指标，实际保护效果受脉冲幅值、持续时间及电路阻抗影响；
• 长时间的大能量冲击会导致器件发热或损坏，建议按系统脉冲能量评估是否需要并联更高功率方案或外部限流。

MMBZ6V8ALT1G 以其小体积、双路集成和对 IEC 61000-4-2 的兼容性，是面向 5V 及信号线保护的高性价比选择。