MUR460G 产品概述

一、概述与定位

MUR460G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款独立式快恢复/高效率整流二极管，额定整流电流为 4A，重复反向耐压 600V。该器件结合了快速反向恢复与相对较低的正向压降，适合中等开关频率的开关电源、逆变器与整流场合，能够在提高效率与降低开关损耗之间取得良好平衡。

二、主要电气参数（典型/额定）

• 二极管配置：独立式
• 正向压降：Vf = 1.28V @ IF = 4A
• 直流反向耐压：Vr = 600V
• 连续整流电流：IF(AV) = 4A
• 反向漏电流：Ir = 10 µA（条件相关，随电压/温度变化）
• 反向恢复时间：Trr = 75 ns（快速恢复特性）
• 非重复峰值浪涌电流：IFSM = 110A
• 工作结温范围：-65 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：插件，尺寸 D4.8 × L7.3 mm

上述参数表明该器件在 600V 等级下能承受较大的浪涌能力并提供快速恢复性能，适用于对耐压和开关响应都有要求的电力电子应用。

三、应用场景

• 开关电源（SMPS）的一次侧/二次侧整流
• 电机驱动与逆变器的自由轮回二极管
• 不间断电源（UPS）与备用电源整流部分
• 功率因数校正（PFC）电路的高压整流
• 太阳能逆变器与充电系统中的高压整流节点

注意：MUR460G 并非低压高效的肖特基替代品，在低压大电流场合肖特基可能有更低的 Vf；MUR460G 更适合高压、要求快恢复的场合。

四、设计与使用建议

• 散热与电流额定：连续 4A 为器件额定整流电流，使用时应根据封装散热条件及 PCB 铜箔面积进行适当的电流/温度降额。高结温会显著增加 Vf 与 Ir，建议留有余量并做好散热设计。
• 反向恢复与电磁干扰：Trr = 75 ns 表明该器件属于快恢复二极管，反向恢复过程中仍会产生较大电流尖峰与 dv/dt。高频或高电压应力场合建议在开关节点增设缓冲网络（RC 缓冲、snubber）或吸收器以抑制过冲与 EMI。
• 浪涌与并联：具有 110A 的非重复峰值浪涌能力，能承受启动或短瞬态冲击。若需并联多只以提高平均电流，应保证 Vf 匹配并加入小阻或热均衡措施以避免应力集中。
• 引脚与布局：插件封装便于替换与单件测试，布线时尽量缩短高电流回路的环路面积，降低寄生电感。焊接与装配请遵循制造商的焊接工艺说明，避免过热影响器件可靠性。
• 温度与可靠性：器件允许较宽的结温范围（-65～+175 ℃），但实际长期使用寿命与参数漂移受高温影响，推荐在额定功率下进行适当的温度管理。

五、选型与替代考虑

如需在更高频率下减少开关损耗，可考虑高速肖特基或 SiC 二极管；但在 600V 等级且要求较高浪涌能力与成本可控时，MUR460G 提供了良好的性价比。选用时应对比 Vf、Trr、Ifsm 及热阻等关键指标，并结合系统工作频率与散热方案综合评估。

六、总结

MUR460G 是一款面向高压整流与快恢复需求的通用功率二极管，1.28V@4A 的正向压降和 75ns 的反向恢复时间，使其在中等频率功率电路中兼顾效率与可靠性。合理的热设计、抑制反向恢复引起的尖峰以及按需采取并联或缓冲措施，能够发挥其在开关电源、逆变与整流应用中的优势。使用前建议查阅安森美官方数据手册以获取更完整的极限参数与封装、焊接工艺信息。