RP114K121D-TRB 产品概述

一、产品简介

RP114K121D-TRB 是 NISSHINBO 提供的一款固定输出线性稳压器（LDO），输出电压为 1.2V，面向对低噪声、高抑制比和可靠保护要求的电源场景设计。器件采用小型 DFN1010-4B 封装，单通道输出，适合空间受限的便携与嵌入式设备。

二、主要特性

• 固定输出：1.2V 正极输出
• 最大输出电流：300mA
• 工作电压（最高）：5.25V（输入端）
• PSRR：75dB @ 1kHz，抑制输入纹波能力强
• 输出噪声：75 μVrms（低噪声）
• 保护功能：过流保护（OCP）
• 控制：带使能（EN）引脚，可实现输出开/关控制（具体阈值请参照数据手册）
• 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃（Ta）

三、电气性能与优势

高达 75dB 的 PSRR 在中低频段能有效抑制电源噪声，配合 75 μVrms 的低输出噪声，使本器件非常适合为模数混合前端、通信射频前端或低噪声基准供电。过流保护能在瞬态故障或短路时限制电流，提升系统可靠性。使能功能便于系统进行电源管理与功耗控制。

四、封装与热管理

DFN1010-4B 小体积封装利于高密度 PCB 布局，但热阻相对较高。注意功耗评估：在 Vin=5.25V、Vout=1.2V、Iout=300mA 情况下，器件耗散功率约为 1.215W，应通过合理的 PCB 散热（底层大铜箔、过孔、地平面）和宽导线来降低结温，确保在高温工况下稳定工作。

五、典型应用

• SoC/FPGA/MCU 核心电源（1.2V 核心域）
• ADC/DAC、时钟和低噪声模拟前端供电
• 便携式与消费类电子的局部稳压
• 通信设备及射频模块的模拟供电

六、使用建议与 PCB 布局要点

• 输入侧建议放置 1 μF 以上去耦电容，靠近 VIN 引脚；输出侧采用 2.2 μF～10 μF 低 ESR 陶瓷电容（X5R/X7R）以保证稳态与瞬态响应。
• EN 引脚请按数据手册逻辑电平连接，若不使用建议拉高或拉低至规定电平以避免未定义状态。
• PCB 布局尽量缩短输入/输出回流路径，输出电容靠近 VOUT 引脚放置，器件下方和邻近区域保留充足铜面积形成散热区。
• 考虑到热散与长时间可靠性，建议在接近最大功耗工况下进行热仿真或实测验证。

如需更详细的引脚定义、典型应用电路与温度特性曲线，请参照厂家完整数据手册或联系 NISSHINBO 授权渠道获取技术支持。