ESDTU5V0AG4B 产品概述

一、产品简介

ESDTU5V0AG4B 是 CJ（江苏长电/长晶）推出的一款四路单向静电与浪涌保护器件，封装为 DFNWB-10L（2.5 × 1 mm）。器件针对高速信号线和电源线的静电放电（ESD）与瞬态浪涌（TVS）保护进行了优化，适合移动设备、消费电子、接口保护和工业通信等场景中对低电容、高可靠性保护的需求。

二、主要特性

• 极性：单向（单向保护，典型为对地钳位）
• 反向截止电压 Vrwm：5 V（适用于 5V 系统和接口）
• 击穿电压：6 V
• 钳位电压（典型）：13.5 V（钳位性能有赖于冲击条件，具体以 datasheet 测试条件为准）
• 峰值脉冲电流 Ipp：5 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：100 W（单位脉冲能量能力）
• 反向漏电流 Ir：500 nA（在额定工作电压条件下）
• 通道数：4 路，适合多线并行保护
• 结电容 Cj：0.45 pF（单路典型值，利于高速信号完整性）
• 防护标准：符合 IEC 61000-4-2（ESD 抗扰度）

三、电气与性能要点

• 低结电容（0.45 pF）使器件非常适合高速差分或单端数据线（如 USB、MIPI、音频接口等），对信号码型干扰和带宽影响小。
• 单向结构适合保护对地参考的数据信号或电源引脚，能在负向过压时提供可靠钳位。
• 100 W 的峰值功率与 5 A 的瞬时脉冲能力能够吸收常见静电与短时浪涌冲击，但非替代线路级主浪涌保护（如雷击能量需用更大能量器件或防雷器件处理）。

四、典型应用场景

• 手机、平板与便携终端的外部接口保护（充电口、数据口）
• 消费类与工业类电子设备的多通道 I/O 保护
• 摄像头模组、显示器接口、触控/按键线等需低电容保护的场合
• 通信设备与网络终端的信号接入点防护

五、封装与布局建议

• DFNWB-10L（2.5 × 1 mm）体积小，适合空间受限的 PCB 设计。建议将器件靠近需要保护的连接器或信号入点布置，以缩短未保护段的走线长度。
• 单向器件通常为共阴（阳极到线，阴极接地），请按 datasheet 建议将接地端采用短回流路径并配置足够的地铜及过孔，利于热量与冲击电流的散逸。
• 布局时避免将保护器放在高频回路敏感区域，尽量减少串联电感与环路面积以确保快速放电路径。

六、使用注意事项

• 钳位电压 13.5 V 为典型值，实际钳位电压与测试波形、脉冲电流峰值和工作温度相关，设计时请参照官方 datasheet 的测试条件。
• 本器件适用于瞬态及静电冲击防护，不建议用于长期承受高能量浪涌或作为主供电短路保护器件。
• 在高可靠性或关键系统中，建议在系统级进行冗余保护与浪涌能量分散设计。

七、总结与建议

ESDTU5V0AG4B 以其四路配置、低结电容（0.45 pF）、5 V 额定工作电压以及 100 W 峰值功率能力，适合需要多通道、低干扰的高速接口防护场合。设计时应将器件靠近接口布局、确保良好接地并参考 datasheet 的测试条件和最大额定值，以获得最佳保护效果。若需更高能量吸收能力或其他封装/参数选型，可联系供应商获取完整产品族与应用资料。