ESDBKV15VD3 瞬态抑制二极管（TVS）产品概述

一、产品简介

ESDBKV15VD3 是 CJ（长电/长晶）推出的一款双向瞬态抑制二极管（TVS），封装为 SOD-323，专为接口与信号线的静电放电（ESD）与脉冲过压保护设计。器件体积小、响应快、漏电低，适用于移动终端、消费电子、通信设备和各种 I/O 接口的浪涌保护。

二、主要电气参数

• 极性：双向（Bidirectional）
• 反向工作电压 Vrwm：15 V
• 击穿电压 Vbr：21 V
• 钳位电压 Vc：37 V（典型，8/20 µs）
• 峰值脉冲电流 Ipp：10 A @ 8/20 µs
• 峰值脉冲功率 Ppp：370 W @ 8/20 µs
• 反向电流 Ir：1 µA（常温）
• 结电容 Cj：2 pF（低电容，适合高速信号线）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 符合防护等级：IEC 61000-4-2（ESD 抗扰度）

三、产品特点

• 双向设计，可在正负极性瞬变时提供对称钳位，适合交流或双向信号线保护。
• 低结电容（约 2 pF），对高速数据传输影响小，适合 USB、HDMI、RS-485 等高速接口。
• 小封装 SOD-323，节省 PCB 面积，便于贴片自动化生产。
• 宽工作温度与高浪涌能力（370 W）保证在苛刻环境下的可靠保护能力。
• 极低漏电流，降低待机功耗影响。

四、典型应用场景

• 手机与平板的外部接口保护（USB、耳机插孔等）
• 数据通信接口（Ethernet、RS-485、CAN 总线等）
• 消费类电子与穿戴设备的 I/O 端口
• 工业与医用设备的信号线防护（依据系统要求选型）

五、PCB 布局与使用建议

• 节点靠近：将 TVS 器件尽可能靠近受保护的连接器或接口放置，缩短走线，降低串联感抗。
• 接地回路：确保器件的地焊盘与系统地有低阻抗连接，优先采用完整地平面与多过孔连接以快速分散能量。
• 串联元件：对于极高速或高频敏感信号，可配合小阻值串联电阻或共模电感改善环路与抑制反射。
• 焊接工艺：遵循 SMD 回流焊工艺规范，避免长时间高温，防止器件热损伤。

六、选型与注意事项

• 若被保护信号为单向（只正向偏置），可考虑单向型 TVS 获得更低钳位电压；本型号适合双向或可反向摆幅信号。
• 钳位电压与被保护器件能承受的最大电压应匹配，37 V 钳位适用于多数低压接口，但需确认被保护器件耐压余量。
• 在高能量冲击场合（如电源浪涌）需评估是否需要并联更高能量的 TVS 或外加浪涌吸收器。

七、封装与可靠性

• 封装：SOD-323，适合自动贴装与小尺寸应用。
• 环境与可靠性：工作温度 -55 ℃ 至 +150 ℃，并通过 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰等级认证，适用于常见静电冲击防护需求。

以上为 ESDBKV15VD3 的概述与应用要点，供器件选型与电路设计参考。如需更详细的电气特性曲线、封装尺寸或焊接规范，请参考厂方数据手册或联系 CJ 官方技术支持。