ESDBVD5V0C2 — 双路双向静电放电（ESD）保护器件概述

一、产品简介

ESDBVD5V0C2 是 CJ（长电/长晶）推出的一款双路、双向瞬态电压抑制器（TVS），以 SOT-23 小封装提供对敏感信号线的静电与浪涌保护。器件专为 5V 及以下系统设计，兼顾低电容、高压钳位与良好浪涌吸收能力，适用于各类接口与信号线的防护。

二、主要电气特性

• 极性：双向（适合信号正负双向突发过压）
• 反向截止电压 Vrwm：5V（最大稳压/工作电压）
• 击穿电压（Vbr）：10V（典型起始击穿）
• 钳位电压：15V（在脉冲条件下将尖峰电压限制至此附近）
• 峰值脉冲电流 Ipp：3A（8/20μs 波形）
• 峰值脉冲功率 Ppp：45W（8/20μs）
• 反向漏电流 Ir：1μA（典型，保证系统休眠与静态功耗）
• 结电容 Cj：3pF（低电容，适合高速信号线）
• 通道数：双路（两路独立保护）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 ESD 测试标准

三、封装与引脚说明

封装：SOT-23。常见引脚排列为双保护引脚与公共地（或电源）引脚，便于于连接到双线差分或两路单端信号。小体积便于贴片布板，适合空间受限的消费电子与便携设备。

四、典型应用场景

• USB、UART、I2C、SPI 等 5V 或更低电压接口的 ESD 保护
• 手机、平板、笔记本插孔与外设接口防护
• 工业控制与物联网终端的信号入口防浪涌
• HDMI、音视频接口辅助保护（需评估电容和带宽要求）

五、设计与使用建议

• 确保系统正常工作电压低于 Vrwm（5V），若工作电压更高需选用更高 Vrwm 的型号。
• 置于受保护接口或连接器附近、靠近 PCB 边缘以缩短走线并降低回路感抗。
• 为获得最佳性能，将器件共地引脚通过短、粗的回流路径连接到系统地。
• 低结电容（3pF）适合高速信号，但对超高速差分线仍需验证对信号完整性的影响。
• 多次大电流冲击后应按应用要求进行可靠性验证，若需要更高的脉冲承受能力可考虑额定更高 Ppp 的器件。

六、可靠性与标准

ESDBVD5V0C2 满足 IEC 61000-4-2 ESD 标准的防护要求，低漏电（1μA）和良好的瞬态吸收能力（3A@8/20μs, 45W）保证在静电或脉冲事件下对后端电路的有效保护，同时降低误触发风险。

七、选型提示

在选型时除关注 Vrwm、Vbr、钳位电压与 Ipp 外，还应考量结电容对信号带宽的影响、封装尺寸与焊接工艺适配性。对于要求更高浪涌电流或更低钳位电压的场合，可比较其它 Ppp 更高或更低 Vc 的型号作为替代。

如需样品或更多典型数据（钳位曲线、瞬态响应、引脚图），建议参考厂商数据手册或向 CJ 正规渠道咨询。