型号:

PAI8211A-SR

品牌:2Pai Semi(荣湃)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:未知
重量:-
其他:
-
PAI8211A-SR 产品实物图片
PAI8211A-SR 一小时发货
描述:-
库存数量
库存:
3520
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.09
4000+
2
产品参数
属性参数值
隔离电压(Vrms)3750
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
输入侧工作电压2.5V~5.5V
拉电流(IOH)6A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
上升时间(tr)15ns
下降时间(tf)12ns
传播延迟 tpLH65ns
传播延迟 tpHL65ns
静态电流(Iq)1200uA
CMTI(kV/us)100kV/us
驱动侧工作电压9.5V~33V

PAI8211A-SR 产品概述

PAI8211A-SR 是荣湃(2Pai Semi)推出的一款高性能隔离型单通道栅极驱动器,专为驱动 IGBT 与 MOSFET 设计。器件在保证高隔离强度与高抗干扰能力的同时,提供充足的瞬态驱动电流与较短的开关时间,适用于逆变器、伺服驱动、电动机控制、电源变换等工业电力电子场景。

一、主要性能与规格概览

  • 隔离电压(Vrms):3750 V(增强系统安全性与人员/系统隔离)
  • 通道数:1(单通道隔离门驱动)
  • 输入侧工作电压:2.5 V ~ 5.5 V(兼容 2.5V/3.3V/5V 逻辑)
  • 驱动侧工作电压(VDD):9.5 V ~ 33 V(适配多种功率器件偏置)
  • 拉电流(IOH):6 A / 灌电流(IOL):6 A(强劲的峰值驱动能力,降低开关损耗)
  • 上升时间 tr:15 ns;下降时间 tf:12 ns(快速开关响应)
  • 传播延迟 tpLH / tpHL:65 ns / 65 ns(对称延迟,便于同步与时序设计)
  • 静态电流 Iq:1200 μA(低待机功耗)
  • CMTI(共模瞬态抗扰度):100 kV/μs(适应大 dv/dt 工况)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃(Ta)
  • 封装:SOIC-8(便于行业级 PCB 布局与散热)

二、功能特点

  • 高隔离等级(3750 Vrms),可满足工业隔离与安规要求;
  • 强劲的 6A 峰值源/汇流能力,适合驱动大功率开关管,缩短开关过渡区;
  • 宽输入与输出电压范围,兼容多种控制逻辑与功率栅极电压;
  • 优良的抗干扰能力(CMTI = 100 kV/μs),在高 dv/dt 环境下仍保持可靠触发;
  • 快速且对称的传输延迟和开关时间,便于多相或并联拓扑的时间协调。

三、典型应用场景

  • 太阳能逆变器与储能变换器;
  • 工业变频器、伺服驱动与伺服放大器;
  • UPS 不间断电源与电源管理模块;
  • 电动车驱动、车载逆变与充电系统;
  • 各类高频开关电源与功率级隔离驱动应用。

四、设计与使用建议

  • 在驱动侧 VDD 处靠近器件放置低 ESR 去耦电容,抑制瞬态电流尖峰;
  • 输出端建议结合合适的栅极电阻以控制开关速度、降低振铃并限制峰值电流;
  • PCB 布局应缩短高电流回路的回流路径,注意隔离槽与爬电距离满足安规要求;
  • 在高共模干扰场合,可在输入侧增加滤波与抗扰电路,以进一步提升系统鲁棒性;
  • 关注功率器件与驱动器的热设计,确保在高温环境下的长期可靠性。

五、封装与采购信息

  • 品牌:2Pai Semi(荣湃)
  • 型号:PAI8211A-SR
  • 封装:SOIC-8,适配标准工业 PCB 制程与自动化贴片装配。
  • 在选型时建议参考厂方数据手册获取完整电气特性、时序图与典型应用电路,以便进行仿真验证与热设计校核。

PAI8211A-SR 以其高隔离、电流能力与抗干扰性能,为工业级功率转换与电机驱动等系统提供稳定的单通道栅极驱动解决方案。若需更详细的参数表、时序或应用参考电路,可进一步查阅荣湃官方资料或联系技术支持。