V3FM10HM3/H 产品概述

一、产品简介

V3FM10HM3/H 为 VISHAY（威世）出品的单颗肖特基整流二极管，采用 DO-219AB（SMF）封装，适用于中高电压与中等电流场合。器件以低正向压降、高耐压及低反向漏电为特点，适合要求效率与响应速度兼顾的电源和保护电路。

二、主要参数

• 正向电流（IF）：3A（整流电流）
• 正向压降（Vf）：0.83V @ 3A
• 直流反向耐压（VR）：100V
• 反向电流（IR）：85µA @ 100V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：55A
• 工作结温范围：-40℃ ~ +175℃
• 封装：DO-219AB（SMF）
• 品牌：VISHAY

三、关键特性与工程意义

• 低正向压降（0.83V@3A）：降低导通损耗（在3A时约 Pd = 0.83×3 ≈ 2.49W），有利于提高转换效率与减小发热。
• 100V 反向耐压：适合 48V 及以下工业供电、部分车规和通信电源应用。
• 低反向漏电（85µA@100V）：在高电压静态条件下减小功耗，但需注意随温度上升呈指数增加。
• 快速开关、无显著存储电荷：适用于高频整流和开关节点的续流保护。
• 高浪涌承受能力（55A）：能经受启动或短时过载引起的冲击电流，但为非重复峰值，应避免频繁使用。

四、典型应用场景

• 开关电源输出整流或自由放电二极管（flyback / buck）
• 反向极性保护与续流保护
• 中小功率工业/通信电源、48V系统整流
• 电池充放电管理与保护电路
• 快速开关场合的整流与钳位

五、使用建议与PCB布局要点

• 热管理：尽管正向压降较低，器件在长时间满载时会产生较大损耗，建议在PCB上提供良好散热铜箔或散热垫，并参考制造商的热阻与结温限值进行电流退载设计。
• 漏电随温度上升：在高温工况下应考虑 IR 增大对系统静态功耗与漏电安全性的影响。
• 浪涌保护：Ifsm 为单次峰值能力，频繁浪涌需使用限流或增加外部保护元件（如NTC、保险丝或限流电阻）。
• 布局：尽量缩短电流回路走线，增大焊盘面积以降低热阻与接触电阻，避免温度敏感元件靠近散热面。

六、可靠性与选型提示

• 适用环境温度范围广（-40℃~+175℃），可满足严苛工作环境要求，但高温长期工作需按结温曲线降额使用。
• 在关键或高可靠性系统中，应核对PMHF、ESD、浪涌试验等具体可靠性数据并做现场验证。
• 选型时参考完整 Datasheet 获取正向特性曲线、热阻、封装尺寸及焊接工艺规范，确保与实际应用匹配。

欲获取详细电气特性曲线、热特性和封装尺寸，请参阅 VISHAY 官方数据手册或联系供应商技术支持。