型号:

MMBT3906

品牌:LGE(鲁光)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:圆盘
重量:-
其他:
-
MMBT3906 产品实物图片
MMBT3906 一小时发货
描述:三极管(BJT) 250mW 40V 100mA PNP
库存数量
库存:
2500
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0449
3000+
0.0356
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE)100@10mA,1V
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV@10mA,1mA
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

MMBT3906 产品概述

一、产品简介

MMBT3906(LGE 鲁光品牌,SOT-23 封装)是一款通用小信号 PNP 双极型晶体管,额定集电极电流高达 100mA,耗散功率 250mW,集射极击穿电压 40V。器件适用于小信号放大、开关、互补对电路及高频子电路,结合 SOT-23 表面贴装形式,便于自动化贴装与空间受限场合使用。

二、主要参数

  • 晶体管类型:PNP(BJT)
  • 直流电流增益 hFE:100(Ic=10mA, VCE=1V)
  • 集电极电流 Ic:100mA(最大)
  • 集射极击穿电压 VCEo:40V
  • 集电极截止电流 Icbo:50nA
  • 特征频率 fT:250MHz
  • 耗散功率 Pd:250mW(无强制散热条件下器件极限)
  • 射-基极击穿电压 Vebo:6V
  • 集-射极饱和电压 VCE(sat):≈200mV(Ic=10mA, IB=1mA)
  • 工作温度范围:-65℃ ~ +150℃
  • 封装:SOT-23
  • 品牌:LGE(鲁光)

三、关键特性

  • 频率响应良好,fT ≈ 250MHz,适合高频放大与高速开关应用。
  • 低 VCE(sat)(约 200mV)在开关工作下可降低功耗与压降。
  • 低漏电流(Icbo 典型 50nA)有利于高阻输入电路与低待机电流设计。
  • 宽温度范围(-65℃ 至 +150℃)适应工业及较恶劣环境。

四、典型应用

  • 小信号放大器(低噪放大、射极跟随器、共射放大)
  • 逻辑电平转换与电平移位(与 NPN 配对组成互补对)
  • 高侧开关与驱动电路(在 PNP 配置下方便实现高侧控制)
  • 高频放大与射频前端(受限于功率和噪声要求)
  • 通用开关应用(继电器驱动、小电流负载控制)

五、使用与注意事项

  • 引脚排列与焊接:SOT-23 引脚排列因厂商封装略有差异,设计 PCB 前请参考鲁光提供的封装图与引脚定义,避免接线错误。
  • 热管理:器件耗散功率为 250mW,为保证长期可靠性建议在 PCB 设计中使用适当的铜箔面积与散热通道,避免靠近大热源或过高环境温度。
  • 工作点选择:在放大工作点设置时注意 hFE 随 Ic 和温度变化,应预留足够的余量以保证偏置稳定性。
  • 过压与反向保护:Vebo 为 6V,注意基极对射极的反向电压限制,防止基极-射极击穿。集电极-射极电压不应超过 40V。
  • ESD 与静电防护:作为小信号器件,对静电敏感,建议在贴装与测试过程中采取防静电措施。

六、封装与选型建议

  • SOT-23 小型化封装适用于紧凑电路板与表贴生产。
  • 在需要更高功率或更大电流能力时,应考虑功率更大的封装或外部散热方案;若对 hFE、噪声或频率有更高要求,可比对同系列或替代型号参数后选型。
  • 采购时参考鲁光(LGE)器件型号、批次与封装品号,核验数据手册以确认引脚定义和典型特性曲线。

总结:MMBT3906(LGE,SOT-23)为一款性能均衡的 PNP 小信号晶体管,兼顾开关和放大应用,适合工业与消费电子中对体积、功耗与频率有中等要求的场景。具体电路设计请以厂商完整数据手册为准。