1N5817（LGE 鲁光）产品概述

一、基本参数

1N5817 为独立式肖特基二极管，品牌：LGE（鲁光），封装为 DO-41 轴向引线封装。主要电气参数：正向压降 Vf ≈ 0.45V（在 If = 1A 时），直流反向耐压 Vr = 20V，额定整流电流 If = 1A，反向电流 Ir ≈ 1mA（在 Vr = 20V 时），非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 30A。工作结温范围为 -65℃ ~ +125℃。

二、主要特性与优点

• 低正向压降：在中等电流下 Vf 仅约 0.45V，可降低导通损耗，提高效率。
• 快速响应/无显著恢复时间：肖特基结构使其适合开关电源、整流等高速场合。
• 良好浪涌能力：30A 的峰值浪涌能力能承受短时启动或突发纹波。
• 轴向 DO-41 封装便于手工焊接与穿板安装，适合原型与传统电路。

三、适用场景

• 低压整流：小功率开关电源二次侧、桌面电源整流。
• 反向极性保护与电源 OR-ing：当需要低压降的冗余供电或反向保护时效果显著。
• 自由轮回二极管：在低压电机驱动或开关元件回路中用于抑制感性反冲。
• 电池充放电与便携设备：降低能耗、延长续航。

四、设计注意事项

• 反向漏电随温度上升显著增加，热环境下需关注 Ir 对系统静态损耗的影响。
• 20V 的耐压限制决定其不适用于高压整流场合，选择时注意留有裕量。
• 对于持续电流接近 1A 的应用，应关注封装散热和 PCB 导线/散热片设计，必要时并联或选用更大封装。
• 浪涌能力良好但不宜作为长期过载解决方案。

五、对比与替代

• 同系列：1N5818（约 30V）与 1N5819（约 40V）适用于更高耐压需求，但正向压降与漏电特性会有所变化。
• 若需更低漏电或更高电流，考虑肖特基功率封装（如 SMA、DO-214）或垂直肖特基器件。

六、可靠性与采购建议

选购时关注器件的出厂检验报告与批次一致性，验证 Vf、Ir 与 Ifsm 是否满足实际工况。装配时遵循厂商的焊接与热循环规范，轴向 DO-41 适合手工焊接与通孔波峰工艺。对热敏感应用，建议做温度仿真并在样机上验证漏电与温升表现。

总结：LGE（鲁光）1N5817 为典型的低压肖特基整流二极管，适合需低压降、快速整流与短时浪涌承受的低功率应用场景，但在高温或高反向偏压环境下需谨慎选型与热管理。