S8550 产品概述

一、主要参数

S8550 为 PNP 小功率硅晶体三极管（品牌：LGE 鲁光），适用于低压中等电流的开关与放大场合。主要电气参数如下：

• 集电极电流 Ic：500 mA（最大）
• 集-射极击穿电压 Vceo：25 V
• 耗散功率 Pd（SOT-23，常规板上散热）：300 mW
• 直流电流增益 hFE：350（在 Ic=50 mA，Vce=1 V 条件下）
• 特征频率 fT：150 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA
• 集-射极饱和电压 VCE(sat)：约 600 mV（测量点：Ic=500 mA，Ib=50 mA）
• 发射极-基极击穿电压 Vebo：5 V
• 封装：SOT-23

二、关键特性

• 高增益：在中等电流点（50 mA）具有很高的 hFE（350），适合小信号放大与增益要求较高的前级电路。
• 高频性能好：fT≈150 MHz，能在较高频率下保持增益，适用于高频小信号放大及快速开关场合。
• 小封装低成本：SOT-23 封装，体积小，适合表面贴装，便于批量生产与体积受限的应用。

三、典型应用

• 低压小信号放大电路（音频前级、传感器信号放大）
• 通用开关与驱动（中小型继电器、指示灯、LED 驱动）
• 与 S8050（NPN）搭配构成互补对称电路
• 便携式电子、家用电器的控制电路和接口电路

四、典型电气特性与注意事项

• 注意 Vceo=25 V 与 Vebo=5 V 限制，避免反向极性及过压，使基极—发射极反向电压超过 5 V 会损坏器件。
• VCE(sat) 在大电流工作点接近 0.6 V，请在设计功率和电压降时考虑该饱和压降，特别是做开关或电流驱动时。
• Icbo 值小（100 nA），漏电流低，有利于高阻输入场合，但长时间高温会增加漏电流，应注意温度对漏电流的影响。

五、封装与热管理

SOT-23 封装尺寸小，热阻相对较高。Pd 标称为 300 mW（基于常规 PCB 散热条件），若需更大耗散能力，应：

• 增加 PCB 铜箔面积做散热垫（尤其是集电极焊盘）。
• 在可能情况下使用多层板或热通孔改善散热。
• 避免长时间在额定功耗附近工作以延长器件寿命。

六、使用与布板建议

• 布板时将集电极焊盘与大面积铜箔相连并通过多条热过孔与内部/底层铜箔连接，以降低结-壳热阻。
• 对于开关用途，基极串联限流电阻以保证安全基极电流，避免过饱和或基极反向击穿。
• 设计时预留抗静电与焊接工艺余量，贴装前做好防潮和静电防护。

七、选型与替代

S8550 适合在 Vce≤25 V、Ic≤500 mA 的场合使用。若需更高功耗或更低饱和压，可考虑功耗更高或封装更大（如 SOT-223、TO-252）且参数匹配的 PNP 器件；若需 NPN 对应，请选用 S8050 类器件。选型时请以器件最终数据手册为准，确认引脚排列与热特性。

如需完整数据手册（引脚图、典型特性曲线和封装尺寸），建议向 LGE 鲁光索取最新资料以便于最终设计验证。