SMUN5335DW1T1G 产品概述

一、产品简介

SMUN5335DW1T1G 是 ON Semiconductor 推出的预偏置数字晶体管器件，内部集成一只 NPN 和一只 PNP 晶体管（互为互补对），封装为 SC-88 小外形。器件将基极偏置电阻一并集成，便于直接由逻辑电平驱动，适合空间受限的低功耗信号开关与驱动场合。

二、主要参数（典型/最大值）

• 直流电流增益 hFE：80（测试条件 Ic = 5 mA，VCE = 10 V）
• 集射极击穿电压 Vceo：50 V
• 集电极电流 Ic（最大）：100 mA
• 输出导通电压 VO(on)：约 200 mV（饱和或导通时典型值）
• 器件耗散功率 Pd：187 mW
• 内置输入电阻：2.2 kΩ（基极偏置电阻）
• 电阻比率：0.047（厂方标注，用以表征内部偏置电阻关系）
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SC-88；品牌：ON (安森美)

三、典型应用场景

• 逻辑信号级联与电平转换：可直接由 MCU/逻辑输出驱动，实现上下拉或开集电极式接口。
• 小电流指示灯与信号驱动：驱动小功率 LED、蜂鸣器或其他小信号负载。
• 互补推挽或高低侧驱动：器件内含 NPN 与 PNP，可用于构建小功率对称输出或简单反相电路。
• 空间受限便携式设备：SC-88 封装与预偏置特性有利于减小 PCB 面积与外部元件数量。

四、设计与使用注意事项

• 功耗与热管理：Pd 为 187 mW，实际使用时需注意结温及环境温度带来的功耗限制与降额，避免长时间接近最大耗散。
• 电流限制：Ic 最大 100 mA，建议在实际驱动设计中留有裕量；对于需要较大瞬态电流的负载（如功率继电器、直流电机等）应选择更高电流能力的器件或加外部驱动级。
• 输出电压与饱和性能：VO(on) 典型约 200 mV（具体随 Ic 与温度变化），用于低压侧导通时有利于降低压降，但仍应按实际测试条件验证。
• 基极偏置与输入驱动：内置 2.2 kΩ 输入电阻使器件可被 3.3 V / 5 V 等逻辑直接驱动；若驱动信号有较高频率或特殊波形，应验证开关速度与基极充放电情况。
• 工作电压：器件 Vceo 为 50 V，在高电压系统中可作为小信号开关使用，但应注意开关瞬态与浪涌电压保护。

五、封装与选型建议

• SC-88 小封装适合高密度布板与表面贴装生产。设计时注意焊盘与热沉设计以保证热性能。
• 若电路需要更多驱动电流或更高功耗能力，应选择更大封装或外部晶体管配合使用。
• 在需要精确模拟放大或高开关速度的场合，预偏置数字晶体管的内置电阻可能引入设计约束，应评估是否采用分立元件更灵活。

总结：SMUN5335DW1T1G 是一款面向低功耗、空间受限场合的预偏置互补数字晶体管，便于快速实现逻辑直接驱动与小信号开关功能。选型时应关注 Ic、Pd 与工作温度等极限参数，结合实际负载与热环境进行验证。