NZ9F5V1T5G 产品概述

一、产品简介

NZ9F5V1T5G 为 ON Semiconductor（安森美）出品的小功率稳压二极管，独立式 SOD-923 封装，标称稳压值 5.1V（规格范围 4.85V～5.36V）。器件针对小体积、低功耗电路的基准/稳压和过压钳位应用设计，适合便携、低功耗传感与模拟前端等场景。

二、主要规格亮点

• 稳压值（标称）：5.1V；允许范围：4.85V～5.36V。
• 反向漏电流 Ir：2 μA @ 1.5V（低漏电，适合高阻抗电路）。
• 最大耗散功率 Pd：250 mW（器件热限内的总耗散）。
• 动态阻抗：Zzt = 80 Ω（工作点小信号阻抗），Zzk = 500 Ω（折返/膝部阻抗）。
• 工作结温：-65℃ ～ +150℃。
• 封装：SOD-923，小型表贴，便于高密度 PCB 布局。

三、应用场景

• 小功率稳压与基准源（低电流水平的局部稳压）。
• 信号链的电平钳位与保护（避免过压冲击）。
• 低功耗便携设备、传感器接口、电池管理辅助电路。
• 要求体积小、引脚少的消费电子与工业末端产品。

四、设计与使用要点

• 串联限流电阻 Rs 可按公式 Rs = (Vin - Vz) / Iz 选择；例如 Vin=12V、目标 Iz=10mA 时，Rs ≈ 690 Ω。
• 在 Pd = 250 mW 条件下的理论最大稳压电流 Iz_max ≈ Pd / Vz ≈ 250mW / 5.1V ≈ 49 mA，但实际应考虑封装散热与环境温度，需要对耗散能力进行降额处理。
• 低漏电（2 μA）使其适合做微弱信号条件下的参考，但若要求高精度基准，则需评估温漂与稳压度（Zzt）对精度的影响。
• Zzt = 80 Ω 表明在测试工作点下有较好的稳压抑制；Zzk = 500 Ω 提示在接近击穿膝部时阻抗快速上升，设计时注意工作点不要靠近膝部区域以避免大幅电压漂移。

五、封装与工艺建议

• SOD-923 为小型表贴封装，适合回流焊工艺；建议按照厂商推荐的回流曲线和焊膏用量进行，使焊接可靠性与热性能最佳。
• 器件对热敏感，焊接时注意整体热预算，避免高温长时暴露。
• 建议 PCB 布局时为该封装提供适度铜箔以利散热，并避免热源邻近影响稳压性能。

六、选型与注意事项

• 若电路要求更高的稳压精度或更大功率，请选用更大功耗等级或精密参考源。
• 在高温或连续大电流运行条件下，务必根据实际结温与环境条件进行功率降额计算。
• 出货检验与长期可靠性请参考厂方数据手册，以获得完整的电气特性曲线和热阻、回流参数等信息。

总结：NZ9F5V1T5G 是一款适用于小体积、低功耗稳压与钳位用途的 5.1V 稳压二极管，SOD-923 封装便于高密度设计。合理选择工作电流与散热措施，可在便携与工业终端应用中提供稳定的性能保障。