型号:

LTV-815S-TA1

品牌:LITEON(台湾光宝)
封装:SMD-4P
批次:25+
包装:卷装
重量:-
其他:
LTV-815S-TA1 产品实物图片
LTV-815S-TA1 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 AC,DC 达林顿晶体管 80mA 1.2V
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.01
1000+
0.931
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流80mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压35V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))800mV@20mA,5mA
上升时间(tr)60us@10mA,100Ω
下降时间53us@10mA,100Ω
工作温度-30℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值600%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值7500%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

LTV-815S-TA1 产品概述

一、产品简介

LTV-815S-TA1 是 LITEON(台湾光宝)出品的一款小封装达林顿晶体管输出光耦合器,采用 SMD-4P 表面贴装封装设计。器件以发光二极管(LED)为输入,达林顿光电晶体管为输出,适用于需要高电流传输比(CTR)和较大输出电流的隔离信号传输场合。器件标称隔离电压 Vrms=5kV,工作温度范围宽,适合工业类电子设备使用。

二、主要性能参数

  • 隔离电压(Vrms):5 kV
  • 输入类型:DC,正向压降 Vf ≈ 1.2 V(If 可达 50 mA)
  • 直流反向耐压 Vr:6 V
  • 电流传输比(CTR):最小 600%,典型/饱和值可达 7,500%(制造公差较大,应按实测或最小值设计)
  • 输出类型:光电达林顿晶体管,最大输出电流 Ic ≈ 80 mA,负载电压最高 35 V
  • 集—射极饱和电压 VCE(sat):约 0.8 V(典型测试条件见规格)
  • 上升/下降时间:tr = 60 μs,tf = 53 μs(测试条件 10 mA, 100 Ω)
  • 总功耗 Pd:200 mW
  • 工作温度:-30 ℃ ~ +110 ℃
  • 封装:SMD-4P

三、应用场景

  • 微控制器到高压或噪声环境的数字信号隔离(低频或开关信号)
  • 工业控制接口、继电器驱动预级隔离(作为信号隔离而非高频传输)
  • 开关电源的反馈隔离(需注意带宽与响应时间)
  • 各类电源模块、家电与仪表中的安全隔离与逻辑电平隔离

四、电路与驱动建议

  • 驱动 LED 时应按最小 CTR 和目标输出电流计算 LED 驱动电流:例如在 5 V 逻辑下,若目标 If = 5 mA,则限流电阻 R = (Vcc − Vf) / If ≈ (5 − 1.2) / 5 mA ≈ 760 Ω,常用 820 Ω。
  • 由于 CTR 有较大变化量,驱动高输出电流(接近 80 mA)时,应留有裕量并参考最低 CTR 值进行设计;若需精确输出,建议在电路中加入负反馈或使用恒流驱动。
  • 注意 VCE(sat) 约 0.8 V,作为开关或饱和导通时应考虑功率耗散与压降。输出端最高允许负载电压为 35 V。
  • 响应速度有限(上/下降时间为几十微秒),不适合高频信号或精密模拟传输,适合工频或低速数字隔离。

五、封装与可靠性

  • SMD-4P 表面贴装,适合自动化贴片生产与高密度电路板。
  • 隔离电压 5 kV 满足较高绝缘要求,但在设计时仍需注意爬电距离、爬电材料与外壳防护以保证长期可靠性。
  • 工作温度范围宽(-30 ℃ ~ +110 ℃),适合工业环境,但在高温或高湿条件下应注意 CTR 与寿命衰减。

六、注意事项与选型建议

  • CTR 波动大:在关键应用中请以最小 CTR(600%)或实测值作为设计依据。若电路对传输比依赖严格,建议选择带反馈或线性隔离方案。
  • 功耗与发热:总功耗 Pd=200 mW,长时间高 If 或高 Ic 条件下注意热设计与散热。
  • 响应时间限制了高速应用:上/下降时间在几十微秒级,若需更快响应应考虑高速光耦或数字隔离器。
  • 若需更高隔离能力或更稳定 CTR,可咨询厂商样片测试或参考完整数据手册。

总体而言,LTV-815S-TA1 以高 CTR 与较大输出电流为特点,适用于对隔离电流放大有需求的低频工业与控制类应用。设计时建议优先按最小 CTR 和器件的热限、响应特性进行稳健设计。