型号:

MIC4101YM-TR

品牌:MICROCHIP(美国微芯)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MIC4101YM-TR 产品实物图片
MIC4101YM-TR 一小时发货
描述:半桥-栅极驱动器-IC-非反相-8-SOIC
库存数量
库存:
95
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.88
2500+
7.6
产品参数
属性参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)2A
拉电流(IOH)2A
工作电压9V~16V
上升时间(tr)400ns
下降时间(tf)10ns
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

MIC4101YM-TR 产品概述

一、产品简介

MIC4101YM-TR 是 MICROCHIP(美国微芯)推出的一款针对功率 MOSFET 的半桥栅极驱动器 IC,采用 8 引脚 SOIC 封装并以 -TR(带卷带)形式供应。器件为非反相输出、双通道设计,专为半桥拓扑中高侧/低侧或两路低侧 MOSFET 驱动而优化,可在 9V~16V 的工作电压下稳定工作,适合各种工业与电源转换应用。

二、关键规格(概要)

  • 驱动配置:半桥(双通道)
  • 输出类型:非反相(输出与输入同相)
  • 驱动通道数:2 通道
  • 灌电流 IOL:2 A(下拉能力)
  • 拉电流 IOH:2 A(上拉能力)
  • 工作电压:9 V ~ 16 V
  • 上升时间 tr(上升沿/开通):400 ns
  • 下降时间 tf(下降沿/关断):10 ns
  • 工作结温范围:-40 ℃ ~ +125 ℃(Tj)
  • 封装:SOIC-8(MIC4101YM 系列)

三、主要特点与优势

  • 双路非反相输出,便于在标准半桥结构中直接驱动两只 MOSFET,逻辑接口简单,减少外部级联器件。
  • 对称的拉/灌电流能力(2A/2A),能有效驱动大多数功率 MOSFET 的栅极电容,兼顾开通与关断的电流需求。
  • 工作电压范围宽(9–16V),覆盖常见功率栅极驱动电压(如 10V、12V、15V),系统设计更灵活。
  • 上升/下降时间差异明显:较慢的上升时间(400ns)有利于控制开通时的开关损耗与电磁干扰,快速的下降时间(10ns)可实现快速关断,减少栅极滞留与交叉导通风险——在设计时可通过外部元件进一步匹配系统需求。
  • 宽温度范围(-40 ℃ 至 +125 ℃)保证工业级或汽车电子级环境下的可靠性与长期稳定性。
  • SOIC-8 封装利于常规 PCB 工艺与批量装配,-TR 版本适合自动化贴片生产。

四、典型应用场景

  • 电机驱动与伺服控制器(半桥或双通道 MOSFET 驱动)
  • 同步整流 DC-DC 转换器与动力转换拓扑(半桥、推挽等)
  • 开关电源、逆变器与功率放大器的栅极驱动
  • LED 驱动与功率管理模块
  • 工业控制与嵌入式电源模块中需要高电流驱动的场合

五、设计与布局建议

  • 电源去耦:在驱动器 VCC 与地之间放置低 ESR 的陶瓷电容(如 0.1µF 至 1µF),并尽可能靠近器件引脚布局,以抑制瞬态电流尖峰与保持稳定的栅极驱动电压。
  • 栅极阻尼:根据 MOSFET 的栅极电容和系统对开关速度/EMI 的要求,选择合适的栅极电阻以配合器件本身的 tr/tf 特性;若需更快关断并降低开通振铃,可在器件输出端并联小电阻或阻容网络进行整形。
  • 布线与回流:输出导线尽量短且宽,功率回流路径(驱动电源至 MOSFET 源极)应使用低电感布局以减少电压尖峰。地线建议分离模拟/功率回流并在单点汇流。
  • 热管理:虽然 SOIC-8 为常规封装,但在高频或高占空比下会产生额外热量。通过增加铜箔面积或在 PCB 上做好散热过孔布局来保证结温在允许范围内。
  • 抗干扰处理:输入端加入适当的滤波/缓冲,避免高 dv/dt 对逻辑端或器件本身造成误触发;必要时加 TVS 或 RC 抑制网络保护电源。

六、封装与采购提示

MIC4101YM-TR 为 MICROCHIP 的标准 SOIC-8 封装型号,后缀 -TR 表示卷带包装(Tape & Reel),适合 SMT 自动化生产线采购。采购与替换时请核对完整型号、供货包装与生产批次,并参照官方数据手册以获取精确的引脚定义、绝对最大额定值和详细电气特性曲线。

总结:MIC4101YM-TR 是一款面向半桥 MOSFET 驱动应用的双通道非反相栅极驱动器,具备 2A 的拉/灌电流能力、宽电压范围与工业级工作温度,适合需要可靠驱动与可控开关特性的电源与动力电子设计。在实际应用中,合理的去耦、布线与栅极阻尼设计能最大化该器件的性能并提高系统可靠性。