SS515B 产品概述

一、产品简介

SS515B 是晶导微电子推出的一款高压肖特基整流二极管，采用 SMB（DO-214AA）封装。器件为单向肖特基结构，面向中大电流整流与开关电源回路保护，兼顾低正向压降与较高耐压能力，适用于工业与消费类电源设计。

二、主要参数

• 正向压降 (Vf)：0.85V @ 5A
• 额定整流电流：5A（连续）
• 直流反向耐压 (Vr)：150V
• 反向漏电流 (Ir)：300µA @ 150V
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：150A（短时浪涌）
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SMB

三、关键特性

• 低正向压降：在高电流条件下仍保持较低Vf，有助于降低导通损耗与系统发热。
• 高耐压设计：150V 反向耐压适合较宽电压余量的电源与工业应用。
• 良好浪涌承受能力：短时浪涌电流150A，可应对启动或瞬态冲击。
• 宽温区可靠性：-55℃~+150℃的结温范围，适应恶劣环境工作。

四、典型应用

• SMPS整流与次级整流
• DC-DC 转换器输出整流
• 续流/自由轮二极管
• 逆接保护与电池管理系统
• 工业电源与汽车电子（需根据系统温度与漏电要求评估）

五、封装与热管理建议

SMB 封装利于自动贴装与较好散热。典型建议：在PCB上提供大面积铜箔和热铜垫，必要时加装散热板或多层热过孔，以降低结温。注意：在5A 连续工作且 Vf≈0.85V 时，器件功耗约为4.25W，需合理计算并保证热阻和环境散热能力。

六、使用注意事项

• 反向漏电随结温上升显著增加，高温工况需评估泄漏对系统的影响。
• 峰值浪涌仅为短时能力，不可作为长期过载工作条件。
• 布局时尽量缩短高电流回路环路，减小寄生电感与纹波。
• 具体热阻及浪涌测试波形/条件以晶导微电子正式数据手册为准，设计前建议参考原厂完整规格表并留有余量。

SS515B 提供在中高压与中大电流场景下的可靠整流解决方案，兼顾成本与性能，适合要求稳定性与耐久性的电源设计。若需更详细的电气特性曲线与封装尺寸，请参阅晶导微电子产品资料或联系供应商获取样片与评估报告。