SMBJ60A NK — 产品概述

一、主要规格

SMBJ60A NK 为晶导微电子出品的 TVS 二极管，采用 SMB 封装，面向瞬态浪涌保护场合。关键参数如下：

• 反向截止电压 (Vrwm)：60 V
• 击穿电压 (Vbr)：73.7 V（典型）
• 钳位电压：96.8 V（在峰值脉冲电流下）
• 峰值脉冲电流 (Ipp)：6.2 A
• 峰值脉冲功率 (Ppp)：600 W（波形 10/1000 µs）
• 反向电流 (Ir)：1 µA（典型）
• 结电容 (Cj)：390 pF
• 工作温度范围：-65 ℃ ~ +150 ℃
• 器件类型：TVS，封装：SMB

二、特性亮点

SMBJ60A 提供高能量吸收能力（600 W@10/1000 µs）和较高的钳位水平（96.8 V），适用于对瞬态浪涌有较强抑制需求的中低压系统。低漏电（≈1 µA）有利于降低静态功耗。SMB 封装兼顾功率散热与 PCB 可装配性，便于自动化贴装与回流焊工艺。

三、典型应用场景

• 48 V 或 60 V 直流供电系统的浪涌保护（如通信基站、电源模块）
• 工业控制与自动化设备的输入/输出端口防护
• 电源线路、逆变器与电机驱动的脉冲抑制
  注：结电容较大（390 pF），不建议用于对信号完整性要求高的高速数据或射频线路。

四、设计与选型建议

• 确认工作电压：Vrwm=60 V 适用于系统持续电压不超过 60 V 的场合。若系统存在更高工作电压，需选型更高 Vrwm 的器件。
• 考虑钳位能力：钳位电压约 96.8 V（在指定脉冲下），需判断被保护元件是否能承受该瞬态电压。
• 脉冲能量匹配：本器件对 10/1000 µs 波形下能量吸收能力强，适合工频雷击后续脉冲或开关转换引起的长时常冲击。
• 对于高速信号线或对低电容敏感的接口，应避免使用该型号，改用低电容 TVS。

五、安装与可靠性注意事项

• 推荐采用标准 SMB 封装焊盘，确保良好热散与机械支撑；回流焊曲线参考厂方数据手册。
• 在高能量场合，布线应尽量缩短到地的回路，增加散热铜箔以提升脉冲吸收能力。
• 存储与使用环境避免潮湿与腐蚀性气体，长期在高温高湿环境下会影响可靠性。
• 如需双向保护或特殊极性要求，请参考晶导微电子的完整数据手册以确认器件具体型号和极性属性。

如需该型号的完整电气特性曲线、典型浪涌测试波形或封装尺寸图，我可以为您整理并说明具体选型对比。