MB10S 产品概述

一、产品简介

MB10S 为晶导微电子推出的单相整流桥，针对中低功率、耐高压直流整流应用。其关键电气参数：整流电流 800mA（DC），正向压降 Vf = 1.1V @ 800mA（单只），非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 30A（单次脉冲），直流反向耐压 Vr = 1kV，反向电流 Ir = 5μA @ 1000V；工作结温范围 -55℃ 至 +150℃。封装型号为 MBS，适合空间受限的电路板布置。

二、主要特点

• 低漏电流：在 1000V 时典型反向电流仅 5μA，适合高压隔离与微漏电要求场合。
• 较低正向压降：1.1V @ 800mA，使得在中等电流下功耗相对可控。
• 具备一定浪涌承受能力：30A 的非重复峰值浪涌电流允许器件承受开机或短时浪涌脉冲（仅限单次/短时）。
• 宽温度范围：-55℃~+150℃ 的结温范围提升了在极端环境下的可靠性空间。

三、典型应用

• 开关电源与线性电源的交流到直流整流输出。
• 高压直流栅极或偏置电源（需低漏电）。
• 仪器仪表与工业控制中对体积和漏电敏感的整流场合。
• 家电小功率电源、充电器前端整流（在额定条件内）。

四、设计与使用建议

• 功耗与散热：桥式整流在导通时每半周期有两只二极管串联导通，若单只 Vf = 1.1V，则桥路总压降约 2.2V。以 800mA 连续整流为例，总功耗约 1.76W，需注意 PCB 散热和周边铜箔面积或辅以散热片/通风以维持安全结温。
• 浪涌处理：Ifsm = 30A 为非重复峰值，适合短脉冲（例如充电电容的首波浪涌），但不宜用于反复高频浪涌场合；必要时增加限流或冲击吸收电路（NTC、限流电阻、缓冲电阻）。
• 反向电压裕量：Vr = 1kV 提供较大耐压裕度，但在高电压应用须考虑外部电场应力与爬电距离，并注意温度升高时 Ir 会增加。
• 降额使用：为保证长期可靠性，建议在设计中对最大电流和最大结温进行适当降额（例如长期工作电流控制在额定值的 70%~80%以内，并保证结温远低于最高限值）。

五、可靠性与采购建议

• 在批量采购前建议索取并确认完整数据手册、样品做温升与浪涌验证。
• 注意封装 MBS 的实际安装尺寸与焊接规范，确保焊点与 PCB 散热设计匹配。
• 对于关键或高可靠性应用，建议与供应商确认工艺、出货批次及可追溯性，必要时进行来料检验。

如需，我可根据您的电路工作电压、实际负载电流及环境温度，帮您计算具体功耗、预计结温及散热面积建议，或提供替代封装/参数的选型建议。