SKQ90N10AD 产品概述

一、产品简介

SKQ90N10AD 为 SHIKUES（时科）推出的一款大电流 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 100V，连续漏极电流 93A，适用于高压开关和功率转换场合。器件采用 PDFN-8L(5×6) 紧凑封装，兼顾低导通损耗与良好散热性能，适合自动化电源、逆变器、马达驱动和汽车电子等应用。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：93A
• 导通电阻 RDS(on)：约 5mΩ（标称 5.0mΩ@Vgs=4.5V；参考 5.2mΩ@Vgs=10V 的典型测试值，请以厂商数据表为准）
• 阈值电压 Vgs(th)：2V（典型）
• 推荐工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：PDFN-8L (5×6)
• 数量：1 个（单片器件）

三、性能与优势

1. 低导通电阻：约 5mΩ 的低 RDS(on) 降低导通损耗，提升效率，适合高电流路径应用。
2. 高压等级：100V 额定值满足中高压转换与电机驱动场景需求。
3. 紧凑封装：PDFN-8L(5×6) 在保持散热性能的同时节省 PCB 面积，便于模块化设计。
4. 宽温度范围：-55℃ 到 +150℃ 的工作温度适用于工业级和汽车级环境。

四、典型应用

• DC-DC 升降压转换器、同步整流
• 逆变器与太阳能并网设备
• 电机控制与电动工具驱动器
• 汽车电子（辅助电源、车载逆变）
• UPS、不间断电源及高效率开关电源

五、使用建议

• 驱动电压：为获得最佳导通特性，建议驱动电压满足或接近数据表给定的测试条件（通常 Vgs=10V 或 4.5V）。
• 散热设计：尽管封装紧凑，仍需合理设计散热铜箔与过孔，将热量有效传导至散热片或大面积地层。
• PCB 布局：电源回路尽量短、宽以降低寄生阻抗；栅极驱动走线尽量短且并联适当阻尼以抑制振铃。
• 保护措施：建议配合合适的过流、过温及防反向二极管或软关断电路以延长可靠性。

六、注意事项

在并联多片使用时需考虑 RDS(on) 区分与电流均流措施；器件参数随温度、驱动电压变化较大，设计时请参考完整数据手册并在目标工况下进行热仿真与实测验证。

七、总结

SKQ90N10AD 是一款面向中高压、大电流应用的 N 沟道 MOSFET，兼具低导通损耗与紧凑封装优势，适合要求高效率与体积受限的功率电子设计。选型与布局时请依据完整器件规范书进行详细验证，以保证长期稳定运行。