AP30P30Q-ES 产品概述

一、产品简介

AP30P30Q-ES 是 ElecSuper（静芯微）推出的一款高性能 P 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 30V、连续漏极电流 39A，采用 PDFN3x3-8L 紧凑封装，适用于高频开关和功率控制场合。该器件在 10V 驱动电压下导通电阻极低（8mΩ），兼顾低损耗和高电流承载能力，适合作为高侧开关、负载切换和电源路径管理元件使用。

二、主要参数（典型/额定）

• 类型：P 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：39A
• 导通电阻 RDS(on)：8mΩ @ Vgs=10V；11.5mΩ @ Vgs=4.5V
• 阈值电压 Vgs(th)：1.4V @ 250µA
• 总栅电荷 Qg：46nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：1.78nF
• 输出电容 Coss：235pF
• 反向传输电容 Crss：200pF
• 功耗 Pd：30W
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃（Tj）
• 封装：PDFN3x3-8L
• 品牌：ElecSuper（静芯微）

三、特点与优势

• 低导通电阻：在 10V 驱动下 8mΩ 的低 RDS(on) 有效降低导通损耗，提高系统效率。
• 大电流承载：39A 的连续电流能力满足高功率负载需求，适合板级高侧开关与功率分配。
• 视在电容适中：Ciss、Coss 与 Crss 数值提供了在开关速度与驱动能耗间的良好平衡。
• 紧凑封装：PDFN3x3-8L 有利于提高板级集成度并优化热路径布线。

四、应用建议

• 电源路径控制与高侧负载切换（P 沟道更便于高侧实现无升压驱动）
• 便携设备与车载辅助电源的电源管理与负载分配
• 马达驱动、继电器替代、热敏负载开关
• 倒灌保护与电池保护电路

五、工程注意事项

• 栅极驱动：Qg=46nC、Ciss≈1.78nF，栅极驱动器需能提供足够电流以实现所需开关速度，必要时加栅极电阻以抑制振铃。
• 热设计：器件 Pd=30W，但实际散热依赖 PCB 铜箔面积与底部焊盘设计，建议器件周围留出散热铜平和多层过孔以降低结壳温升。
• PCB 布局：尽量缩短大电流回路导线长度，增大电源及接地铜皮；保证栅极走线与开关节点隔离以降低干扰。
• 工作电压范围：器件 Vdss=30V，适用于 12V/24V 车用及工业供电场景，但应留有裕量避免瞬态超过额定值。

六、总结

AP30P30Q-ES 以其低 RDS(on)、高电流能力和紧凑封装，适合需要高侧 P 沟道开关、功率分配与电源管理的应用场景。在实际应用中，合理的栅极驱动和 PCB 散热设计能充分发挥其性能，提升系统效率与可靠性。若需进一步的电气特性曲线或封装详图，建议参考厂方详细数据手册或联系 ElecSuper 技术支持。