SN74LV21ADR 产品概述

一 概述

SN74LV21ADR 是 TI（德州仪器）推出的双路 2 输入与门（AND），属于 74LV 低压逻辑系列。器件工作电压范围宽（2.0V 至 5.5V），静态电流极小（约 20μA），输出驱动能力良好（IOH / IOL 均约 12mA），适合低功耗与多电平系统中的通用组合逻辑需求。器件采用 SOIC-14 封装，工作温度范围 -40°C 至 +85°C，适用于工业级环境。

二 主要特性

• 逻辑功能：双通道 2 输入与门（2 × 2-input AND），共有 4 个输入通道。
• 电压范围：VCC = 2.0V ~ 5.5V，支持低压系统及与较高电压系统的兼容设计。
• 静态电流（Iq）：典型 20μA，适合电池供电或低功耗应用。
• 输出驱动：IOL / IOH = 12mA（下拉/上拉能力），可直接驱动小负载或作为门阵列的级联驱动。
• 输入阈值：VIH = 1.5V（最低保证高电平识别）；VIL = 0.5V（最高保证低电平识别）。
• 输出电平（在指定负载下）：VOH ≈ 3.8V，VOL ≈ 0.55V。
• 时序特性：tpd ≈ 7ns（在 VCC = 5V、CL = 50pF 条件下）。
• 封装：SOIC-14（工业级温度 -40°C 至 +85°C）。

三 功能与工作原理

每个通道实现标准的二输入与运算：当且仅当两个输入均为逻辑高时，输出呈逻辑高；否则输出为逻辑低。该器件常用于对多个控制或地址信号进行逻辑与运算，以实现使能、译码、条件触发等功能。由于为双通道设计，可在单一芯片上实现两路独立的与逻辑，节省 PCB 面积与器件数量。

四 电气与时序考虑

在 5V 供电且典型负载条件下，器件能在约 7ns 内完成传播延迟（50pF 负载）。输入阈值与输出电平参数表明该器件在不同电压域间具有良好兼容性，但 VOH/ VOL 指标依赖 VCC 与输出电流大小。设计时应根据实际负载、上升/下降时间和级联结构评估时序裕量。器件静态功耗低，有利于多通道并行工作时的总功耗控制。

五 典型应用

• 门控与使能电路、地址/数据总线的逻辑合成与译码。
• MCU/FPGA 与外设信号的逻辑处理、条件筛选。
• 低功耗或电池供电的便携设备中作为 glue logic。
• 多电压系统中作为低压侧逻辑处理单元（具体电平兼容性请参考原厂数据手册）。

六 选型与布局建议

• 推荐在 VCC 近端放置 0.1µF 去耦电容，减小瞬态电流导致的电压波动。
• 未使用的输入应避免悬空，建议拉至定义电平（通过上拉/下拉电阻）以防止功耗增加或噪声触发。
• 长布线或高速信号上可考虑串联阻抗匹配（串联电阻）减少反射与振铃。
• 多芯片并联驱动大负载时，注意总输出电流限制及功耗散热；必要时使用缓冲器或驱动器。

七 注意事项

产品参数（如 VOH、VOL、tpd 等）在数据表中有详细测试条件，请在实际设计中以 TI 官方数据手册为准，特别注意输入/输出耐压、绝对最大额定值以及 ESD 保护要求。在需要 5V 容忍或特殊电平兼容的场景下，应核实器件引脚的容限能力或采用专用电平移位方案。

总结：SN74LV21ADR 是一款低功耗、宽供电电压范围、驱动能力适中的双路与门器件，适合通用数字逻辑合成与低压系统中的控制逻辑实现。