1N4756A — 47V / 1W DO‑41 齐纳二极管 产品概述

一、产品简介

1N4756A 是 ON (安森美) 推出的独立式齐纳稳压二极管，标称稳压值为 47V，额定耗散功率为 1W，采用 DO‑41 通孔轴向封装，适用于中低功率的基准、稳压与浪涌保护场合。器件设计用于在反向工作区提供稳定的电压基准，结构可靠，适合传统 PCB 插装工艺。

二、主要电气参数

• 标称稳压值（Vz）：47V（公差 ±5%，稳压范围 44.65V ～ 49.35V）
• 最大耗散功率（Pd）：1W（在指定散热条件下）
• 反向电流（Ir）：5 μA @ 35.8V（泄漏电流，表征低电压下的漏电特性）
• 动态阻抗：Zzt = 80 Ω（稳态测试点下的交流阻抗）；Zzk = 1.5 kΩ（击穿起始区阻抗，表征转折特性）
• 工作结温范围：-65 ℃ ～ +200 ℃

说明：在 47V 电压下的最大稳态电流可由 Pd / Vz 估算，Iz_max ≈ 1W / 47V ≈ 21 mA。实际设计时应考虑温升与散热条件并按厂商数据手册进行降额。

三、封装与热管理

1N4756A 使用 DO‑41 轴向玻璃封装，便于通孔插件安装并利于手工焊接或机装。由于器件耗散功率仅 1W，长期运行时需要注意结温控制：建议在 PCB 设计中增加铜箔散热面积、缩短引脚与良好接地/散热路径；若工作在较高环境温度或高电压差下，应进行功率降额或使用外部散热元件以避免过热导致老化或失效。

四、典型应用场景

• 47V 基准源与稳压电路（尤其是低至中等电流要求场合）
• 过压保护、限压与钳位电路
• 参考电压元件，用于电路保护与比较电路中
• 电源模块中作为并联稳压元件或暂态钳位器件

五、使用建议与注意事项

• 避免在超过额定耗散功率的条件下长时间工作；对浪涌和脉冲功率应参照厂商手册中的脉冲特性与能量极限。
• 由于 Zzk 较大，器件在接近击穿电压的低电流区具有较陡的非线性，应在设计时选择合适的偏置电流以保证稳定输出。
• 在需要低漏电的场合，应关注 Ir 在工作电压下的表现并根据实际电压-温度条件校核泄漏对系统的影响。
• 高温环境下应做温度降额，设计时以结温和 PCB 热阻为依据计算允许电流与功耗。

六、品牌与采购

该器件由 ON Semiconductor（安森美）生产，型号为 1N4756A，通孔 DO‑41 封装，适合批量采购与替换设计。最终选型与工程使用请以安森美最新版数据手册为准，获取完整的测试条件、极限参数与波形允许值。