型号:

ESD5B5.0ST1G

品牌:DOWO(东沃)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ESD5B5.0ST1G 产品实物图片
ESD5B5.0ST1G 一小时发货
描述:未分类
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1+
0.0707
3000+
0.0562
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)120W@8/20us
击穿电压5.5V
反向电流(Ir)500nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容18pF

ESD5B5.0ST1G 产品概述

一、产品简介

ESD5B5.0ST1G 是东沃(DOWO)推出的一款单通道双向瞬态电压抑制(ESD)二极管,专为保护敏感电子接口免受静电放电和雷击脉冲干扰而设计。该器件具有低钳位电压、快速响应速度和小封装尺寸,适合在空间受限且需高可靠性保护的便携设备、通信接口及消费类电子产品中广泛应用。

二、主要电气参数

  • 钳位电压(Vc):15 V(典型/参考值,测试条件见厂商资料)
  • 击穿电压(Vbr):5.5 V
  • 反向截止电压(Vrwm):5 V
  • 峰值脉冲功率(Ppp):120 W @ 8/20 µs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):8 A @ 8/20 µs
  • 反向电流(Ir):500 nA(在 Vrwm 条件下)
  • 结电容(Cj):18 pF
  • 通道数:单路(1 通道)
  • 极性:双向(能承受正向和反向的瞬态电压)
  • 类型:ESD 抑制器件

这些参数表明该器件在承受瞬态脉冲(如雷击或工业脉冲)和快速的静电放电事件时,能有效限制受保护节点的电压幅值并迅速导流到电源或地,从而保护下游敏感元件。

三、封装与物理特性

ESD5B5.0ST1G 采用 SOD-523 超小型封装,体积小、占板面积低,利于高密度电路板设计。单通道与双向特性使其可直接并联至需保护的信号线或接口两端。18 pF 的结电容在满足大多数低速与中速数字接口的同时,对信号完整性的影响处于可控范围,但对极高带宽(如部分超高速接口)应进行评估。

四、典型应用场景

  • 移动设备与便携式电子(例如触摸屏控制线、按键、天线接口)
  • 数据接口保护(USB、UART、I2C、SPI、RS-232/RS-485 等)
  • 音视频接口与消费类电子(例如耳机控制线、遥控接口)
  • 工业与楼宇自动化设备的接口防护
  • 通信设备的外部端口与弱电系统保护
    双向特性使其特别适合可能出现正负脉冲或交流耦合的信号线路。

五、选型与布局建议

  • 放置位置:器件应尽量靠近被保护的引脚或连接器放置,减少线路寄生感抗和串联阻抗,从而提升吸收瞬态能量的效率。
  • 接地处理:为最大化浪涌能量的泄放,应提供低阻抗接地路径,必要时在保护器件附近使用多个过孔将地层连接。
  • 与其它滤波器件配合:在需要更高能量吸收或更低钳位电压的场合,可与串联电阻、共模扼流圈或更高能量的TVS阵列配合使用。
  • 对高速信号注意电容影响:18 pF 的结电容对高速差分信号会引入一定影响,建议在高速接口(如 USB3.0、PCIe 等)采用针对性更低电容的保护方案或进行信号完整性仿真验证。
  • 温度与功率管理:在高脉冲环境或频繁发生浪涌的应用中,应评估器件的平均功耗和热散布,必要时保障PCB有利于散热的布局。

六、可靠性与符合标准

本型号支持 IEC 61000-4-2(静电放电,ESD)与 IEC 61000-4-5(脉冲群/雷击浪涌)等工业与民用电磁兼容(EMC)测试规范,能在典型的抗静电和防雷击场景下为系统提供可靠保护。其峰值脉冲功率 120 W(8/20 µs)与峰值脉冲电流 8 A 表明在遭遇短时高能量冲击时具有良好的能量吸收能力。

七、总结

ESD5B5.0ST1G 是一款面向单通道、双向保护需求的高性能 TVS/ESD 器件,具备 15 V 钳位、5 V 反向截止和 120 W 脉冲能量承受能力,且封装小巧(SOD-523),适合现代紧凑型电子设备对接口保护的需求。在选型和布局时注意结电容对高速信号的影响以及良好的接地与热管理,可在多种消费、通信与工业应用中提供高效、可靠的电磁脉冲防护。若需更详细的电参数曲线、典型钳位实验曲线或封装尺寸图,请参考东沃的器件规格书或联系供应商获取完整资料。