PESD5V0F1BL 产品概述

一、产品简介

PESD5V0F1BL 是 DOWO（东沃）出品的一款单路双向瞬态电压抑制（ESD）器件，采用 DFN1006-2L 小型封装，面向对抗静电放电和雷击脉冲的接口保护场合。器件为低电容、高可靠性的表面贴装防护元件，适用于对信号完整性要求高的低压接口。

二、主要电气参数

• 钳位电压（Vc）：20V（典型）
• 反向截止电压 Vrwm：5V
• 击穿电压（Vbr）：7.5V
• 峰值脉冲功率 Ppp：70W（8/20μs）
• 峰值脉冲电流 Ipp：3.8A（8/20μs）
• 反向电流 Ir：200nA（常温）
• 结电容 Cj：0.3pF（低电容，利于高速信号）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +125℃

三、认证与可靠性

符合 IEC 61000-4-2（静电放电）和 IEC 61000-4-5（浪涌）等级要求，能够在工业、通信等受扰环境中提供稳定的瞬态过压保护。低漏电和宽温度范围保证长期可靠性。

四、典型应用场景

适用于 5V 等级的数据或电源线保护，尤其适合对信号完整性敏感的高速接口，如 USB、串行数据线、I/O 接口、传感器信号输入及射频前端的保护。单路双向结构便于双向信号或差分接口的防护设计。

五、封装与布局建议

DFN1006-2L 的小尺寸便于靠近外接连接器处布局，建议将器件尽量靠近受保护端口并缩短走线长度，以获得最佳的抑制效果和最小的寄生电感。关注焊盘设计与散热路径，保证脉冲能量能够有效导出。

六、选型提示

当系统工作电压 ≤5V 且对高速信号有低电容要求时，PESD5V0F1BL 是优先选择；若需更高的持续功率或更低钳位电压，可根据实际浪涌能量与允许钳位值进行电路级组合或选用更高规格器件。