ESD5311X 产品概述

一、概述

ESD5311X 是 DOWO（东沃）推出的一款单路、双向 TVS 晶体管，适用于对低压信号线或电源线进行瞬态电压抑制保护。该器件采用小型 DFN1006-2L 封装，针对要求高带宽、低寄生电容且需要通过 IEC ESD/浪涌标准验证的应用场景进行了优化。

二、主要技术参数

• 类型：TVS（瞬态电压抑制器），单路、双向
• 钳位电压（Vc）：22 V
• 击穿电压（Vbr）：7.5 V（典型）
• 反向截止电压（Vrwm / 工作电压）：5 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：80 W @ 8/20 μs（IEC 61000-4-5）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：4 A @ 8/20 μs
• 结电容（Cj）：0.3 pF（极低电容，适合高速信号）
• 反向电流（Ir）：500 nA（典型）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-5（浪涌）和 IEC 61000-4-2（静电放电）要求
• 封装：DFN1006-2L

三、性能特点

• 低结电容（0.3 pF）：对高速差分或单端信号（如 USB、HDMI、Camera MIPI 等）影响极小，保持信号完整性。
• 双向保护：可在正反方向对称工作，适用于没有明确参考极性的信号线或差分对。
• 高瞬态承受能力：80 W 峰值功率和 4 A 峰值电流（8/20 μs）能有效吸收常见的浪涌与脉冲干扰。
• 低漏电流：500 nA 的反向电流有助于在低功耗系统中保持静态功耗低。
• 小型封装：DFN1006-2L 适合空间受限的移动设备与嵌入式 PCB 布局。

四、典型应用

• USB、串口、摄像头接口等 5 V 及以下信号线保护
• 手机、平板、笔记本等消费电子外部接口防护
• 工业控制、物联网终端的 I/O 保护
• 任何要求低电容、高速信号一致性同时需要 ESD/浪涌保护的场合

五、封装与 PCB 布局建议

• 器件应尽量靠近受保护的连接器或接口放置，缩短输入走线，减小串联电感与阻抗。
• 在 DFN1006-2L 的底部焊盘附近设置良好的地平面或接地铜箔，确保浪涌能量被快速导入接地。
• 对于高能量抑制路径，建议在地平面处使用多过孔（vias）以降低回流阻抗（若 PCB 双面或多层）。
• 避免在器件与保护目标之间并联过长的走线、滤波器或大电感元件，以免削弱保护效果。

六、使用注意事项

• Vrwm = 5 V：确保待保护线路的正常工作电压不超过 5 V；若系统存在较高静态电压，应选择相应耐压等级的保护器件。
• 钳位电压 22 V：在大电流脉冲时器件钳位电压可达到此值，需确认下游电路能承受短时此类电压峰值或在系统中采取额外吸收/限流措施。
• 单路器件：若需保护多条信号线，可选用多路 TVS 阵列或并用多个单路器件。
• 结合系统布局及 EMC 要求，必要时配合滤波器、阻尼与线路隔离设计以达到最佳抑制效果。

七、合规与可靠性

ESD5311X 已针对 IEC 61000-4-2（静电放电）和 IEC 61000-4-5（浪涌）进行了设计，具备工业级瞬态抑制能力。在实际产品认证过程中，应与整机测试结果结合评估，验证器件在特定 PCB 布局与工作条件下的可靠性。

如需详细资料（电气特性曲线、封装尺寸图、推荐焊盘样式或样品测试数据），可联系 DOWO（东沃）或器件供应商获取完整数据手册。