型号:

ESD36VD5B

品牌:DOWO(东沃)
封装:SOD-523
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
ESD36VD5B 产品实物图片
ESD36VD5B 一小时发货
描述:保护器件 ESD36VD5B
库存数量
库存:
7718
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.167
3000+
0.148
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)36V
钳位电压56V
峰值脉冲电流(Ipp)8A
峰值脉冲功率(Ppp)450W
击穿电压38V
反向电流(Ir)500nA
通道数单路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容40pF

ESD36VD5B 产品概述

ESD36VD5B 是 DOWO(东沃)推出的一款单路双向瞬态抑制器(TVS),专为对静电放电(ESD)和雷击脉冲(Surge)保护的敏感信号/电源接口设计。器件采用 SOD-523 超小封装,工作温度范围宽(-55℃至+125℃),兼容 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-5(浪涌)防护等级,适合对空间、成本敏感且要求快速夹止响应的消费类与工业类电子产品。

一、主要特性

  • 极性:双向,适用于交流或可正负切换的信号线保护
  • 反向截止电压 Vrwm:36 V(推荐工作电压)
  • 钳位电压 Vcl:56 V(在额定脉冲条件下提供低压钳位)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:8 A(单次尖峰脉冲能力)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:450 W(参考1 ms脉冲能量能力)
  • 击穿电压 Vbr:38 V(击穿区间)
  • 反向漏电流 Ir:500 nA(在 Vrwm 条件下低漏电)
  • 结电容 Cj:40 pF(适合高速信号线的容性负载控制)
  • 通道数:单路
  • 工作温度:-55℃ 至 +125℃
  • 封装:SOD-523(小型化、表面贴装)

二、典型电气性能解读

ESD36VD5B 在 36 V 的直流工作电压下保持极低漏电,保证对正常工作信号影响最小;一旦出现高能瞬态(如静电放电或浪涌),器件在击穿区快速导通,将瞬态能量钳位在约 56 V,保护下游器件。40 pF 的结电容使其在多数数据线和通信接口中引入的信号畸变有限,适合 USB、串口、传感器信号等场合。

三、典型应用场景

  • 移动终端、可穿戴设备的外部接口保护(充电口、耳机口)
  • 工业控制与仪表的信号线保护(传感器、通讯总线)
  • 消费类电子产品的 I/O 口与接口板防护
  • 车载非关键性电子线路的过电压抑制(视系统电压等级选择)

四、封装与电路布局建议

SOD-523 超小封装适合高密度 PCB 布局,推荐将器件尽量靠近受保护的接口或线缆入口放置,走线尽量短且直接接地。对于双向 TVS,应保证两端对称布局,地线采用单点或加粗回流以降低环路电感,提升钳位效率与抗干扰能力。

五、可靠性与选型注意事项

  • 符合 IEC 61000-4-2/4-5 标准表明器件在规定测试条件下可提供一定等级的抗静电和浪涌性能,但实际防护水平受系统接地、布局与外部阻抗影响。
  • 若用于高能量浪涌环境(如近距离雷击场景)建议并联或级联更高能量吸收器件或增加熔断/限流器件。
  • SOD-523 为微型封装,焊接时注意温度曲线与湿敏等级(若在高湿环境需按厂方推荐的回流工艺与贴片前烘烤流程处理)。

总结:ESD36VD5B 是一款面向小型化电路的高效双向 TVS 器件,具备 36 V 工作电压、56 V 钳位电压、450 W 峰值脉冲功率与 40 pF 低结电容等优点,适用于对尺寸、电气性能和抗电磁干扰要求较高的多种应用场合。在实际设计中应关注 PCB 布局、接地策略及系统级防护配合,以发挥最佳保护效果。若需器件数据手册或参考电路图,可进一步联系供应商或下载官方规格书。