型号:

LBAT54HT1G

品牌:DOWO(东沃)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LBAT54HT1G 产品实物图片
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描述:未分类
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梯度内地(含税)
1+
0.0329
3000+
0.0261
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1V@100mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流300mA
反向电流(Ir)2uA@25V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)600mA

LBAT54HT1G 产品概述

一、产品简介

LBAT54HT1G 是东沃(DOWO)推出的一款小型肖特基/整流用途二极管,采用 SOD-323 封装,面向空间受限的消费电子、通信接口和电源前端保护等场合。器件尺寸小、响应快,适合对反向漏流和正向压降有一定限制但不需要高功率处理的低/中电流应用。

二、主要电气参数

  • 正向压降 Vf:1 V @ 100 mA(典型工作点)
  • 额定整流电流:300 mA(连续)
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm:600 mA(单次浪涌耐受)
  • 直流反向耐压 Vr:30 V(最大反向电压)
  • 反向电流 Ir:2 μA @ 25 V(典型/测试条件)
  • 封装:SOD-323(小型表面贴装)

以上参数表明 LBAT54HT1G 在 30 V 及以下电压、亚安培电流水平具有良好整流与保护能力;较低的反向漏流适合高阻输入或低功耗电路。

三、典型应用场景

  • 电源输入的极性保护与反向保护
  • 小电流整流(开关电源次级、低功耗充电回路)
  • 信号线浪涌或瞬态抑制(与限流/滤波元件配合)
  • TTL/CMOS 接口保护、二极管钳位与电平移位

四、设计与使用要点

  • 封装小,布板时应将器件靠近被保护端口放置,以缩短回路并提升瞬态抑制效率。
  • 由于连续额定电流为 300 mA,长期工作在接近极限电流时需注意热量积累和降额;若有较大平均功率,建议并行或选用更大封装器件。
  • Ifsm 为 600 mA,仅适用于短时浪涌或瞬态情况,不适合频繁或长期的大电流冲击。
  • 反向漏流 2 μA@25 V 表明在多数低功耗场合可接受,但对极低漏流要求的设计应评估是否满足系统待机损耗目标。

五、封装与可靠性

SOD-323 为常见小型贴片封装,适合自动贴装与高密度 PCB 设计。东沃出品一般满足商业级可靠性要求,推荐按生产数据表进行回流焊工艺控制,避免超出建议焊接温度与时间,以保证长期可靠性。

六、选型建议

如目标应用为 300 mA 级别或以下、工作电压 ≤30 V 且要求小封装、快速响应与较小反向漏流,LBAT54HT1G 为性价比较高的选择。若需更低正向压降或更大平均/峰值电流,请参考更大封装或专用肖特基器件,并关注器件热阻与系统热管理设计。

如需完整电气特性曲线、封装尺寸和回流焊工艺说明,请参考东沃官方数据手册或向供应商索取样片/规格书以便工程验证。