3R090M-S5076 产品概述

一、产品简介

3R090M-S5076 是 DOWO（东沃）推出的一款 SMD 封装多极浪涌保护器件，封装形式为 SMD-3P（7.6×5mm）。器件以小体积实现大电流脉冲放电能力与低寄生电容，适用于通信接口、电源输入和各种需抗雷击/浪涌干扰的电子系统前端保护。未分类定位使其在方案选型时具有较强的通用性。

二、主要参数

• 脉冲放电电流（Iimp）：5 kA（峰值）
• 直流击穿电压（Vdc）：90 V
• 冲击击穿电压（Vimp）：700 V
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 宽度：5 mm；长度：7.6 mm；高度：5 mm；直径（φD）：5 mm
• 极数：3（SMD-3P）
• 极间电容：1 pF（典型）
• 精度（击穿电压容差）：±20%

三、核心特性

• 高浪涌承受能力：5 kA 的脉冲放电能力，能有效吸收来自雷击或开关冲击的短时高能量脉冲。
• 低漏通和稳定的静态特性：直流击穿电压约 90 V，保证在正常工作电平下无导通。
• 低寄生电容：约 1 pF 的极间电容，对高速差分信号影响极小，适合数据线保护。
• 紧凑封装：7.6×5×5 mm 的 SMD-3P 体积，便于在有限 PCB 面积上实现多路保护方案。
• 宽温工作：-40 ℃ 到 +85 ℃，适应工业级温度要求。

四、典型应用场景

• 通信设备：用于以太网端口、DSL、光模块保护等需要低电容且耐大电流冲击的接口。
• 电源输入防护：适配 24 V、48 V 等直流系统的前端防雷保护（需结合系统电压确认适配性）。
• 工业控制与监控：PLC、现场总线及远程终端设备的浪涌与脉冲干扰防护。
• 智能终端与安防：摄像头、电力监测与路由器等对抗电磁脉冲和雷击的保护单元。

五、设计与布局建议

• 布局靠近受保护端口：将器件放在受保护线缆入口或接口附近，最小化导线长度可提高保护效率。
• 接地处理：若为对地保护结构，确保接地面低阻、短回路，使用粗短回流路径以降低接地电感。
• 与滤波器配合：可与串联电感/共模电感及差分/共模电容协同使用构成多级保护，注意整体带宽匹配以免影响信号完整性。
• 焊接工艺：作为 SMD 器件，推荐采用标准回流焊工艺，焊盘设计应符合厂商推荐（如需具体封装图请咨询供应商）。
• 温升与散热：在高能量冲击场景下，保持周围无易燃物并保证器件有足够的热散路径。

六、可靠性与环境适应

• 工作温度覆盖工业级范围，适应户外/工业环境的温度变化。
• 击穿电压容差为 ±20%，在设计中应留有裕量以应对工况差异与老化带来的参数漂移。
• 对于频繁高能冲击的场合，建议在工程验证阶段进行寿命评估及多次冲击后性能检测。

七、选型与采购建议

在选型时，应结合系统的最大工作电压、信号速率与预期的冲击等级（如波形、能量）确认 90 V 的直流击穿与 700 V 的冲击击穿是否满足需求。低极间电容（1 pF）适合高速数据线保护；若用于更高直流电压或更大冲击能量环境，应考虑更高等级产品或并联/混合保护方案。欲获取封装图、推荐焊盘与 tape-and-reel 包装规格，请联系 DOWO（东沃）或授权分销商。

如需针对具体电路（例如以太网、PoE、汽车电子）提供接入方案与器件并联/串联建议，可提供电路工作电平与冲击波形，我方可给出更精确的布局与选型建议。