型号:

BRCS035N03ZC

品牌:BLUE ROCKET
封装:PDFN-8(5x6)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BRCS035N03ZC 产品实物图片
BRCS035N03ZC 一小时发货
描述:未分类
库存数量
库存:
3279
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.324
5000+
0.305
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)55W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)210pF
类型N沟道
输出电容(Coss)145pF

BRCS035N03ZC 产品概述

BRCS035N03ZC 是 BLUE ROCKET 推出的 30V 级 N 沟道功率 MOSFET,采用 PDFN-8 (5×6) 封装,面向开关电源、功率分配和电机驱动等中低压大电流应用。器件在 4.5V 栅压下具有低导通电阻,结合较高的额定电流和适中的栅极电荷,能够在保持较低导通损耗的同时实现良好的开关性能。

一、主要参数一览

  • 类型:N 沟道功率 MOSFET
  • 漏源电压 Vdss:30 V
  • 导通电阻 RDS(on):6.5 mΩ @ Vgs = 4.5 V
  • 连续漏极电流 Id:95 A(典型条件下)
  • 耗散功率 Pd:55 W(器件额定)
  • 栅极阈值电压 Vgs(th):3.0 V @ Id = 250 μA
  • 栅极总电荷 Qg:32 nC @ Vgs = 10 V
  • 输入电容 Ciss:2.2 nF
  • 输出电容 Coss:145 pF
  • 反向传输电容 Crss:210 pF
  • 封装:PDFN-8 (5×6)
  • 品牌:BLUE ROCKET

二、性能特点与技术亮点

  • 低 RDS(on):6.5 mΩ@4.5V 在 5V 级门驱动系统中可获得较低的导通损耗,适合同步整流和负载开关场景。
  • 合理的栅极电荷(Qg=32 nC):在开关速度与驱动功率之间取得平衡,便于采用中等能力的门极驱动器实现快速开关同时避免驱动器过载。
  • 较高的连续电流能力(95 A):在有良好 PCB 散热条件下可承载大电流,适合 DC-DC 降压、负载开关与电机驱动。
  • 紧凑封装 PDFN-8 (5×6):利于高密度设计,同时需注意封装对热量通过 PCB 的传导要求。

三、典型应用场景

  • 同步整流降压(buck)转换器:作为高端或低端开关管,得益于低 RDS(on) 和适中 Qg,适用于 12V->5V、5V->3.3V 等转换。
  • 电源分配开关与负载开关:低导通阻抗可减少分配损耗与热耗。
  • 电机驱动与功率开关:适用于中低压直流电机控制。
  • 高速开关场合:当配合合适门驱动器时,可实现较快开关过渡,降低开关损耗。

四、驱动与开关设计建议

  • 驱动电压建议:器件在 4.5V 下已呈现低 RDS(on),若系统允许建议驱动至 10V 可进一步降低导通损耗并提升开关速度;若系统为 5V 门驱动,性能也已足够。
  • 门极驱动电流估算:Ig ≈ Qg / t_sw。举例,若希望在 20 ns 切换完栅极电压,所需驱动峰值电流约 32 nC / 20 ns = 1.6 A;在 10 ns 时约 3.2 A。因此选择门极驱动器时要考虑峰值能力与功耗。
  • 门极功耗:Pg_gate = Qg * Vdrive * f_sw。示例:在 Vdrive=10V,f_sw=500 kHz 时,Pg_gate ≈ 32 nC * 10 V * 500 kHz = 0.16 W(每个 MOSFET)。
  • 抑制振荡:建议在门极串联小阻(典型 2–10 Ω)以抑制振荡并控制 dV/dt,必要时并联 R-C 或使用阻尼网络。
  • 反向恢复与开关损耗:Crss(210 pF)和Coss(145 pF)会影响开关损耗与电压应力,设计时评估与二极管/同步整流器件配合的恢复特性。

五、散热与 PCB 布局建议

  • 热量散发:虽然器件额定耗散 55 W,但实际能承受的功率依赖 PCB 散热面积和铜厚。建议将器件的散热垫与多层大面积铜铺连通以降低热阻。
  • 低电感环路:在功率路径(Drain-Source)和门极回路中保持短、宽的走线,以减小寄生电感和环路电阻,有助于降低 EMI 与开关尖峰。
  • 地与散热:将源极和散热焊盘与主地层良好连接,必要时通过多颗过孔导通大电流回流。
  • 测试与保护:设计时预留温度检测点与过流/短路保护,防止长时间过载导致热失效。

六、注意事项与选型建议

  • Vgs(th) 为 3.0 V(@250 μA),表明器件并非超低阈值,虽然在 4.5–5 V 门驱动下表现良好,但在 3.3 V 门驱动系统中可能无法完全导通,需评估 RDS(on) 在低栅压下的变化。
  • Id(95 A)通常在理想实验条件下给出,实际系统中应基于 PCB 散热和环境温度计算允许的连续电流与结温上限(SOA)。
  • 若系统对开关损耗或开关速度有极高要求,可在选型时关注器件在 10 V 下的 RDS(on) 与开关能量曲线,或考虑更低 RDS(on) /更低 Qg 的替代型号。

七、总结

BRCS035N03ZC 是一款面向 30V 级、需要兼顾低导通损耗与中高速开关性能的 N 沟道 MOSFET,适用于同步整流、功率分配、负载开关与电机驱动等场景。设计时应合理选择门驱动电压与驱动器峰值能力,并通过良好的 PCB 散热与版图布局来发挥器件的高电流与低损耗优势。若有更具体的系统参数(开关频率、工作电流、工作温度等),可进一步给出更精准的热设计与驱动配置建议。