型号:

INA821IDRGR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SON-8(3x3)
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
-
INA821IDRGR 产品实物图片
INA821IDRGR 一小时发货
描述:HIGH BANDWIDTH (4.7MHZ), LOW
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
20.75
3000+
20.34
产品参数
属性参数值
放大器数单路
共模抑制比(CMRR)105dB
输入偏置电流(Ib)150pA
输入失调电压(Vos)10uV
增益带宽积(GBP)4.7MHz
压摆率(SR)2V/us
输出电流20mA
静态电流(Iq)650uA
输入失调电压温漂(Vos TC)400nV/℃
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
噪声密度(eN)7nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)500pA
单电源4.5V~36V
双电源(Vee ~ Vcc)-18V~-2.25V;2.25V~18V
电源纹波抑制比(PSRR)110dB
稳定时间6us

INA821IDRGR 产品概述

一、概述

INA821IDRGR 是德州仪器(TI)推出的一款高带宽、低噪声单路精密放大器,针对需要高精度差分测量与噪声控制的前端应用而设计。器件在保持极低输入失调与漂移的同时,提供较宽的增益带宽和良好的瞬态响应,适合精密传感器接口、数据采集前端与测试测量设备。

二、主要性能亮点

  • 共模抑制比(CMRR):105 dB,适合处理大共模信号或远端测量场合。
  • 噪声密度(eN):7 nV/√Hz @1 kHz,低本底噪声,利于低信号幅度的精确放大。
  • 增益带宽积(GBP):4.7 MHz 与压摆率(SR):2 V/µs,兼顾带宽与瞬态性能,可满足中高速精密放大需求。
  • 输入失调电压(Vos):10 μV,失调温漂(Vos TC):400 nV/°C,确保长期与温度下的测量稳定性。
  • 输入偏置电流(Ib):150 pA,输入失调电流(Ios):500 pA,适合高阻抗传感器连接。
  • 电源纹波抑制比(PSRR):110 dB,对电源噪声有良好抑制能力。
  • 静态电流(Iq):650 μA,输出驱动能力可达 20 mA,稳定时间约 6 μs。

三、供电范围与工作环境

器件支持单电源和双电源工作:单电源范围 4.5 V ~ 36 V;双电源典型支持 ±2.25 V ~ ±18 V,最大电源差可达 36 V。工作温度覆盖 -40 ℃ ~ +125 ℃,适用于工业级环境。

四、典型应用场景

  • 精密传感器前端:应对应变计、热电偶、桥式传感器等低幅度信号放大。
  • 数据采集与ADC驱动:低噪声和低失调有助提升系统动态范围与精度。
  • 电流/电压检测与电池管理系统:高CMRR与PSRR在共模和电源噪声存在时仍能保证测量质量。
  • 仪器仪表与测试测量:短时间稳定(6 μs)和中等输出驱动适合许多测量链路。

五、封装与选型建议

INA821IDRGR 提供紧凑的 SON-8(3×3 mm)封装,适合空间受限的 PCB 布局。作为单路放大器,便于模块化设计;若需多通道,可并行使用多个器件以降低通道间串扰。

六、设计注意事项

  • 电源旁路:尽管 PSRR 高,仍建议在靠近器件电源引脚放置陶瓷旁路电容以保证瞬态性能。
  • 输入源阻抗:输入偏置电流低,但高阻抗源时应注意输入漏电流与漂移的影响,建议匹配输入阻抗并考虑防静电/保护元件。
  • 布局与接地:为发挥低噪声特性,输入走线短且屏蔽良好,模拟地与电源地分离并合理汇流。
  • 带宽/稳定性:在反馈网络或滤波元件并联时注意闭环相位裕度,必要时通过小的并联补偿电容改善稳定性。

概括而言,INA821IDRGR 在低噪声、低失调与高共模抑制方面表现突出,同时提供合适的带宽与输出驱动能力,适合对测量精度和抗干扰能力有较高要求的工业与仪表应用。