ES1G_R1_00001 产品概述

一、产品简介

ES1G_R1_00001 是强茂（PANJIT）推出的单体整流二极管，属 Super Fast Recovery 系列，额定直流整流电流 1A，直流反向耐压达 400V。器件采用 SMA（DO-214AC）封装，属于独立式二极管，适合在要求快速恢复特性、高耐压以及低反向漏电的电源与开关场合中使用。典型应用包括开关电源（SMPS）、功率转换器、输入整流、电机驱动与保护电路等。

二、主要电气特性

• 型号：ES1G_R1_00001（PANJIT / 强茂）
• 配置：独立式（单个二极管）
• 直流整流电流（IF）：1A（连续）
• 直流反向耐压（VR）：400V
• 正向压降（VF）：1.25V @ IF = 1A（典型）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30A（单次，脉冲）
• 反向电流（IR）：1 µA @ VR = 400V（典型）
• 反向恢复时间（Trr）：35 ns（Super Fast Recovery）
• 工作结温范围（Tj）：-55℃ 至 +150℃

以上参数为产品关键电气指标，可作为电路选型与性能估算的依据。具体极限值、典型曲线与测试条件请参照完整数据手册。

三、热特性与封装

ES1G_R1_00001 采用 SMA（DO-214AC）塑封，封装尺寸小、适合表面安装。SMA 封装在 1A 级别的应用中具有较好的热性能和焊接可靠性，便于自动贴装与回流焊工艺。器件在高结温环境下仍可保持稳定工作，但在高功率或高周波切换场合需考虑散热路径与 PCB 铜厚以保证结温在安全范围内。

建议设计时：

• 保留足够的焊盘面积和热铜（散热地/电源平面）以降低热阻；
• 遵循厂商建议的回流焊曲线和焊盘布局；
• 对频繁脉冲或高浪涌场合进行热仿真与余量设计。

四、关键性能优势

1. 快速恢复（Trr ≈ 35 ns）：相比普通整流二极管，Super Fast Recovery 能显著降低开关转换时的反向恢复损耗，适合高开关频率电源设计。
2. 低正向压降（VF 约 1.25V @1A）：在连续整流工况中减小导通损耗，提高效率并降低发热。
3. 高耐压与低漏电（VR = 400V / IR ≈ 1 µA）：适用于 220VAC 整流、离线电源以及中高电压 DC 链路的保护与整流。
4. 良好浪涌承受能力（Ifsm = 30A）：能够承受启动或故障时的短时大电流冲击，提升系统可靠性。
5. SMA 表面贴装封装：占板面积小，便于自动化生产，适合紧凑型电源模块设计。

五、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）次级整流或输出侧整流
• 输入桥式整流或半波整流（适配 400V 反向耐压）
• 开关管旁的回生/续流二极管（快速恢复可降低 EMI 和开关损耗）
• 过压/极性保护与浪涌抑制电路
• 家电、电源模块、工业控制器和照明驱动电路等

六、设计与使用注意事项

• 在设计时应考虑器件的结温上限 (+150℃)，并为长期可靠性留出足够的温度裕度。
• 正向压降与结温和电流有关，长期高电流下会增加结温并影响寿命，应进行功耗评估（Pd ≈ VF × IF）并设计散热。
• 反向恢复过程可能产生电磁干扰（EMI），建议在必要处并联 RC 抑制或采用合适的布局以降低寄生电感。
• 对于连续大电流或高频脉冲应用，建议参考厂商的脉冲电流与热阻曲线，进行退化和热裕量设计。

七、可靠性与品质保证

PANJIT（强茂）作为知名半导体厂商，产品通过常规的电气、环境与封装可靠性测试（如高温贮存、温湿循环、热冲击等）。在采购与设计中建议索取并核验完整的数据手册、原厂封装资料与可靠性报告，以便满足最终产品的可靠性要求。

若需进一步的电气特性曲线、封装尺寸图或样品信息，可联系 PANJIT 官方技术支持或授权代理商，依据实际负载与工作条件进行更详细的选型与热管理设计。